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M29F160BT90N6T

更新时间： 2024-09-21 14:52:51
品牌 Logo 应用领域
恒忆 - NUMONYX 光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
20页 171K
描述
Flash, 1MX16, 90ns, PDSO48, 12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48

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M29F160BT90N6T 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TSOP包装说明：12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48
针数：48Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.51
风险等级：5.37最长访问时间：90 ns
其他特性：TOP BOOT BLOCK备用内存宽度：8
启动块：TOPJESD-30 代码：R-PDSO-G48
JESD-609代码：e0长度：18.4 mm
内存密度：16777216 bit内存集成电路类型：FLASH
内存宽度：16功能数量：1
端子数量：48字数：1048576 words
字数代码：1000000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：1MX16封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSOP1封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE并行/串行：PARALLEL
编程电压：5 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.2 mm最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子节距：0.5 mm
端子位置：DUAL类型：NOR TYPE
宽度：12 mmBase Number Matches：1

M29F160BT90N6T 数据手册

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M29F160BT  
M29F160BB  
16 Mbit (2Mb x8 or 1Mb x16, Boot Block)  
Single Supply Flash Memory  
PRELIMINARY DATA  
■ SINGLE 5V±10% SUPPLY VOLTAGE for  
PROGRAM, ERASE and READ OPERATIONS  
■ ACCESS TIME: 55ns  
■ PROGRAMMING TIME  
– 8µs per Byte/Word typical  
■ 35 MEMORY BLOCKS  
– 1 Boot Block (Top or Bottom Location)  
– 2 Parameter and 32 Main Blocks  
■ PROGRAM/ERASE CONTROLLER  
– Embedded Byte/Word Program algorithm  
– Embedded Multi-Block/Chip Erase algorithm  
– Status Register Polling and Toggle Bits  
– Ready/Busy Output Pin  
TSOP48 (N)  
12 x 20mm  
Figure 1. Logic Diagram  
■ ERASE SUSPEND and RESUME MODES  
– Read and Program another Block during  
Erase Suspend  
■ UNLOCK BYPASS PROGRAM COMMAND  
V
CC  
– Faster Production/Batch Programming  
■ TEMPORARY BLOCK UNPROTECTION  
20  
15  
MODE  
A0-A19  
DQ0-DQ14  
■ LOW POWER CONSUMPTION  
– Standby and Automatic Standby  
W
E
DQ15A–1  
BYTE  
RB  
■ 100,000 PROGRAM/ERASE CYCLES per  
M29F160BT  
M29F160BB  
BLOCK  
■ 20 YEARS DATA RETENTION  
– Defectivity below 1 ppm/year  
■ ELECTRONIC SIGNATURE  
– Manufacturer Code: 0020h  
G
RP  
– M29F160BT Device Code: 22CCh  
– M29F160BB Device Code: 224Bh  
V
SS  
AI02920  
July 1999  
1/20  
This is preliminary information on a new product now in development or undergoing evaluation. Details are subject to change without notice.  
1234567...20

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与M29F160BT90N6T相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M29F160FB55N3E2 NUMONYX

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 		Flash, 1MX16, 55ns, PDSO48, 12 X 20 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TSOP1-48
M29F160FB55N3E2 MICRON

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 		Top/Bottom Boot Block, 5V, Parallel NOR Flash Memory
M29F160FB55N3F2 NUMONYX

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 		Top / Bottom Boot Block 5 V Supply Flash Memory
M29F160FB55N3F2 MICRON

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 		Top/Bottom Boot Block, 5V, Parallel NOR Flash Memory
M29F160FB5AN6E2 MICRON

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 		Top/Bottom Boot Block, 5V, Parallel NOR Flash Memory
M29F160FB5AN6F2 NUMONYX

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 		Flash, 1MX16, 55ns, PDSO48, 12 X 20 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TSOP1-48
M29F160FB5AN6F2 MICRON

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 		Top/Bottom Boot Block, 5V, Parallel NOR Flash Memory
M29F160FT55N3E2 MICRON

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 		Top/Bottom Boot Block, 5V, Parallel NOR Flash Memory
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 		Top/Bottom Boot Block, 5V, Parallel NOR Flash Memory
M29F160FT55N3S2 NUMONYX

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 		Flash, 1MX16, 55ns, PDSO48, 12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP1-48

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