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M29F160FB55N3F2

更新时间: 2024-11-24 15:17:43
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镁光 - MICRON /
页数 文件大小 规格书
56页 679K
描述
Top/Bottom Boot Block, 5V, Parallel NOR Flash Memory

M29F160FB55N3F2 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:TSOP1
包装说明:TSOP1-48针数:48
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.51风险等级:5.27
最长访问时间:55 ns其他特性:BOTTOM BOOT BLOCK
备用内存宽度:8启动块:BOTTOM
命令用户界面:YES通用闪存接口:YES
数据轮询:YESJESD-30 代码:R-PDSO-G48
JESD-609代码:e3长度:18.4 mm
内存密度:16777216 bit内存集成电路类型:FLASH
内存宽度:16功能数量:1
部门数/规模:1,2,1,31端子数量:48
字数:1048576 words字数代码:1000000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-40 °C组织:1MX16
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSOP1
封装等效代码:TSSOP48,.8,20封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):260电源:5 V
编程电压:5 V认证状态:Not Qualified
就绪/忙碌:YES筛选级别:AEC-Q100
座面最大高度:1.2 mm部门规模:16K,8K,32K,64K
最大待机电流:0.00012 A子类别:Flash Memories
最大压摆率:0.03 mA最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:AUTOMOTIVE端子面层:MATTE TIN
端子形式:GULL WING端子节距:0.5 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:30
切换位:YES类型:NOR TYPE
宽度:12 mmBase Number Matches:1

M29F160FB55N3F2 数据手册

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M29FxxxFT/B  
Features  
Micron Parallel NOR Flash Embedded  
Memory  
Top/Bottom Boot Block 5V Supply  
M29F200FT/B, M29F400FT/B, M29F800FT/B, M29F160FT/B  
• RoHS-compliant packages  
– TSOP48  
– SO44 (16Mb not available for this package)  
• Automotive device grade 3  
Temperature: –40 to +125°C  
Features  
• Supply voltage  
– VCC = 5V  
• Access time: 55ns  
• Program/erase controller  
– Embedded byte/word program algorithms  
• Erase suspend and resume modes  
• Low power consumption  
– Standby and automatic standby  
• 100,000 PROGRAM/ERASE cycles per block  
• Electronic signature  
• Automotive device grade 6  
Temperature: –40 to +85°C  
• Automotive grade certified (AEC-Q100)  
– Manufacturer code: 0x01h  
Top device codes  
– M29F200FT: 0x2251  
– M29F400FT: 0x2223  
– M29F800FT: 0x22D6  
– M29F160FT: 0x22D2  
• Bottom device codes  
– M29F200FB: 0x2257  
– M29F400FB: 0x22AB  
– M29F800FB: 0x2258  
– M29F160FB: 0x22D8  
CCMTD-1725822587-8401  
m29fxxxf/t_2mb-16mb.pdf - Rev. C 5/18 EN  
Micron Technology, Inc. reserves the right to change products or specifications without notice.  
1
© 2013 Micron Technology, Inc. All rights reserved.  
Products and specifications discussed herein are subject to change by Micron without notice.  

M29F160FB55N3F2 替代型号

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Top/Bottom Boot Block, 5V, Parallel NOR Flash Memory
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Flash, 1MX16, 55ns, PDSO48, 12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP1-48
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