是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | SOIC |
包装说明: | 0.200 INCH, PLASTIC, SO-8 | 针数: | 8 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.51 | 风险等级: | 5.63 |
其他特性: | 00.1.142 | 最大时钟频率 (fCLK): | 0.4 MHz |
数据保留时间-最小值: | 40 | 耐久性: | 1000000 Write/Erase Cycles |
I2C控制字节: | 1010DDDR | JESD-30 代码: | R-PDSO-G8 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 5.3 mm |
内存密度: | 65536 bit | 内存集成电路类型: | EEPROM |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 8 | 字数: | 8192 words |
字数代码: | 8000 | 工作模式: | SYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 125 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 8KX8 | 输出特性: | OPEN-DRAIN |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | SOP |
封装等效代码: | SOP8,.3 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 并行/串行: | SERIAL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 电源: | 3/5 V |
认证状态: | Not Qualified | 筛选级别: | AEC-Q100 |
座面最大高度: | 2.03 mm | 串行总线类型: | I2C |
子类别: | EEPROMs | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 2.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | MOS |
温度等级: | AUTOMOTIVE | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
宽度: | 5.25 mm | 最长写入周期时间 (tWC): | 10 ms |
写保护: | HARDWARE | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
M24C64WMW5T | STMICROELECTRONICS |
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64/32 Kbit Serial IC Bus EEPROM | |
M24C64-WMW6 | STMICROELECTRONICS |
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8KX8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDSO8, 0.200 INCH, PLASTIC, SO-8 | |
M24C64WMW6T | STMICROELECTRONICS |
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64/32 Kbit Serial IC Bus EEPROM | |
M24C64-WMW6T | STMICROELECTRONICS |
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8KX8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDSO8, 0.200 INCH, PLASTIC, SO-8 | |
M24C64X-FCU | STMICROELECTRONICS |
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64 Kbit串行I2C总线EEPROM 4焊球CSP,可配置器件寻址 | |
M24D16161DA | ESMT |
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16-Mbit (1M x 16) Pseudo Static RAM | |
M24D16161DA-70BIG | ESMT |
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16-Mbit (1M x 16) Pseudo Static RAM | |
M24D16161ZA | ESMT |
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16-Mbit (1M x 16) Pseudo Static RAM | |
M24D16161ZA-70BIG | ESMT |
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16-Mbit (1M x 16) Pseudo Static RAM | |
M24D816128DA-55BIG | ESMT |
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8-Mbit (512K x 16) Pseudo Static RAM |