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M24L216128DA-70TIG

更新时间： 2024-01-07 18:12:12
品牌 Logo 应用领域
晶豪 - ESMT 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
页数 文件大小 规格书
14页 345K
描述
2-Mbit (128K x 16) Pseudo Static RAM

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M24L216128DA-70TIG 技术参数

生命周期：Contact Manufacturer零件包装代码：TSOP2
包装说明：TSOP2,针数：44
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：3A991.B.2.A
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.76
最长访问时间：70 nsJESD-30 代码：R-PDSO-G44
长度：18.41 mm内存密度：2097152 bit
内存集成电路类型：PSEUDO STATIC RAM内存宽度：16
功能数量：1端子数量：44
字数：131072 words字数代码：128000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：128KX16
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSOP2
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行：PARALLEL认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.2 mm最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：2.7 V标称供电电压 (Vsup)：3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子形式：GULL WING
端子节距：0.8 mm端子位置：DUAL
宽度：10.16 mmBase Number Matches：1

M24L216128DA-70TIG 数据手册

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ESMT  
M24L216128DA  
PSRAM  
2-Mbit (128K x 16)  
Pseudo Static RAM  
Features  
Functional Description  
‧Advanced low-power architecture  
The M24L216128DA is a high-performance CMOS pseudo  
static RAM (PSRAM) organized as 128K words by 16 bits that  
supports an asynchronous memory interface. This device  
features advanced circuit design to provide ultra-low active  
current. This is ideal for portable applications such as cellular  
telephones. The device can be put into standby mode,  
reducing power consumption dramatically when deselected  
• High speed: 55 ns, 70 ns  
• Wide voltage range: 2.7V to 3.6V  
• Typical active current: 1 mA @ f = 1 MHz  
• Low standby power  
• Automatic power-down when deselected  
( CE1 HIGH, CE2 LOW or both BHE and BLE are HIGH).  
The input/output pins(I/O0 through I/O15) are placed in a  
high-impedance state when the chip is deselected ( CE1  
HIGH, CE2 LOW) or OE is deasserted HIGH), or during a  
write operation (Chip Enabled and Write Enable WE LOW).  
Reading from the device is accomplished by asserting the  
Chip Enables ( CE1 LOW and CE2 HIGH) and Output Enable  
(OE) LOW while forcing the Write Enable ( WE ) HIGH. If Byte  
Low Enable ( BLE ) is LOW, then data from the memory  
location specified by the address pins will appear on I/O0 to  
I/O7. If Byte High Enable ( BHE ) is LOW, then data from  
memory will appear on I/O8 to I/O15. Seethe Truth Table for a  
complete description of read and write modes.  
Logic Block Diagram  
Elite Semiconductor Memory Technology Inc.  
Publication Date : Jul. 2008  
Revision : 1.2  
1/14  
1234567...14

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