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M24L216128DA-55BIG

更新时间： 2024-02-23 15:33:45

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晶豪 - ESMT		存储内存集成电路静态存储器
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14页	345K
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2-Mbit (128K x 16) Pseudo Static RAM

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M24L216128DA-55BIG 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	零件包装代码：	BGA
包装说明：	VFBGA,	针数：	48
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	3A991.B.2.A
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.76
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	55 ns
JESD-30 代码：	R-PBGA-B48	长度：	8 mm
内存密度：	2097152 bit	内存集成电路类型：	PSEUDO STATIC RAM
内存宽度：	16	功能数量：	1
端子数量：	48	字数：	131072 words
字数代码：	128000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	128KX16	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	VFBGA	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH	并行/串行：	PARALLEL
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1 mm
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子形式：	BALL	端子节距：	0.75 mm
端子位置：	BOTTOM	宽度：	6 mm
Base Number Matches：	1

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ESMT

M24L216128DA

PSRAM

2-Mbit (128K x 16)

Pseudo Static RAM

Features

Functional Description

‧Advanced low-power architecture

The M24L216128DA is a high-performance CMOS pseudo

static RAM (PSRAM) organized as 128K words by 16 bits that

supports an asynchronous memory interface. This device

features advanced circuit design to provide ultra-low active

current. This is ideal for portable applications such as cellular

telephones. The device can be put into standby mode,

reducing power consumption dramatically when deselected

• High speed: 55 ns, 70 ns

• Wide voltage range: 2.7V to 3.6V

• Typical active current: 1 mA @ f = 1 MHz

• Low standby power

• Automatic power-down when deselected

( CE1 HIGH, CE2 LOW or both BHE and BLE are HIGH).

The input/output pins(I/O₀through I/O₁₅) are placed in a

high-impedance state when the chip is deselected ( CE1

HIGH, CE2 LOW) or OE is deasserted HIGH), or during a

write operation (Chip Enabled and Write Enable WE LOW).

Reading from the device is accomplished by asserting the

Chip Enables ( CE1 LOW and CE2 HIGH) and Output Enable

(OE) LOW while forcing the Write Enable ( WE ) HIGH. If Byte

Low Enable ( BLE ) is LOW, then data from the memory

location specified by the address pins will appear on I/O₀to

I/O₇. If Byte High Enable ( BHE ) is LOW, then data from

memory will appear on I/O₈to I/O₁₅. Seethe Truth Table for a

complete description of read and write modes.

Logic Block Diagram

Elite Semiconductor Memory Technology Inc.

Publication Date : Jul. 2008

Revision : 1.2

1/14

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