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LF411MJ/883

更新时间： 2024-09-20 22:10:07
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美国国家半导体 - NSC 运算放大器
页数 文件大小 规格书
12页 459K
描述
Low Offset, Low Drift JFET Input Operational Amplifier

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LF411MJ/883 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：DIP包装说明：DIP, DIP8,.3
针数：8Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.33.00.01
风险等级：5.68放大器类型：OPERATIONAL AMPLIFIER
架构：VOLTAGE-FEEDBACK最大平均偏置电流 (IIB)：0.0002 µA
25C 时的最大偏置电流 (IIB)：0.0002 µA最小共模抑制比：70 dB
标称共模抑制比：100 dB频率补偿：YES
最大输入失调电流 (IIO)：0.025 µA最大输入失调电压：2000 µV
JESD-30 代码：R-GDIP-T8JESD-609代码：e0
低-偏置：YES低-失调：NO
负供电电压上限：-18 V标称负供电电压 (Vsup)：-15 V
功能数量：1端子数量：8
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：CERAMIC, GLASS-SEALED封装代码：DIP
封装等效代码：DIP8,.3封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
电源：+-15 V认证状态：Not Qualified
筛选级别：MIL-STD-883座面最大高度：5.08 mm
最小摆率：8 V/us标称压摆率：15 V/us
子类别：Operational Amplifiers最大压摆率：3.4 mA
供电电压上限：18 V标称供电电压 (Vsup)：15 V
表面贴装：NO技术：BIPOLAR
温度等级：MILITARY端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：THROUGH-HOLE端子节距：2.54 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
标称均一增益带宽：4000 kHz最小电压增益：15000
宽度：7.62 mmBase Number Matches：1

LF411MJ/883 数据手册

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April 1998  
LF411  
Low Offset, Low Drift JFET Input Operational Amplifier  
General Description  
Features  
n Internally trimmed offset voltage: 0.5 mV(max)  
n Input offset voltage drift: 10 µV/˚C(max)  
n Low input bias current: 50 pA  
n Low input noise current:  
These devices are low cost, high speed, JFET input opera-  
tional amplifiers with very low input offset voltage and guar-  
anteed input offset voltage drift. They require low supply cur-  
rent yet maintain a large gain bandwidth product and fast  
slew rate. In addition, well matched high voltage JFET input  
devices provide very low input bias and offset currents. The  
LF411 is pin compatible with the standard LM741 allowing  
designers to immediately upgrade the overall performance of  
existing designs.  
n Wide gain bandwidth: 3 MHz(min)  
n High slew rate: 10V/µs(min)  
n Low supply current: 1.8 mA  
n High input impedance: 1012Ω  
=
n Low total harmonic distortion AV 10,  
These amplifiers may be used in applications such as high  
speed integrators, fast D/A converters, sample and hold cir-  
cuits and many other circuits requiring low input offset volt-  
age and drift, low input bias current, high input impedance,  
high slew rate and wide bandwidth.  
=
=
=
<
RL 10k, VO 20 Vp-p, BW 20 Hz−20 kHz:  
0.02%  
n Low 1/f noise corner: 50 Hz  
n Fast settling time to 0.01%: 2 µs  
Typical Connection  
Connection Diagrams  
Metal Can Package  
DS005655-5  
Note: Pin 4 connected to case.  
Top View  
Order Number LF411ACH  
or LF411MH/883 (Note 1)  
See NS Package Number H08A  
DS005655-1  
Ordering Information  
Dual-In-Line Package  
LF411XYZ  
X
Y
indicates electrical grade  
indicates temperature range  
“M” for military  
“C” for commercial  
indicates package type  
“H” or “N”  
Z
DS005655-7  
Top View  
Order Number LF411ACN,  
LF411CN or LF411MJ/883 (Note 1)  
See NS Package Number N08E or J08A  
™
BI-FET II is a trademark of National Semiconductor Corporation.  
© 1999 National Semiconductor Corporation  
DS005655  
www.national.com  
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