LF411MWGRLQMLV

更新时间： 2024-09-22 11:07:11

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德州仪器 - TI		放大器运算放大器
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20页	699K
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航天级、单路、30V、3MHz、低失调电压运算放大器 \| NAC \| 10 \| -55 to 125

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LF411MWGRLQMLV 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	SOIC
包装说明：	CERAMIC, SOIC-10	针数：	10
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.33.00.01	Factory Lead Time：	6 weeks
风险等级：	5.61	放大器类型：	OPERATIONAL AMPLIFIER
架构：	VOLTAGE-FEEDBACK	最大平均偏置电流 (IIB)：	0.0002 µA
25C 时的最大偏置电流 (IIB)：	0.006 µA	最小共模抑制比：	70 dB
标称共模抑制比：	100 dB	频率补偿：	YES
最大输入失调电流 (IIO)：	0.025 µA	最大输入失调电压：	2000 µV
JESD-30 代码：	R-CDSO-G10	长度：	6.858 mm
低-偏置：	NO	低-失调：	NO
微功率：	NO	湿度敏感等级：	1
负供电电压上限：	-18 V	标称负供电电压 (Vsup)：	-15 V
功能数量：	1	端子数量：	10
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-55 °C
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装代码：	SOP
封装等效代码：	SOP10,.4	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
功率：	NO	电源：	+-15 V
可编程功率：	NO	认证状态：	Not Qualified
筛选级别：	MIL-PRF-38535 Class V	座面最大高度：	2.34 mm
最小摆率：	8 V/us	标称压摆率：	15 V/us
子类别：	Operational Amplifier	最大压摆率：	2.8 mA
供电电压上限：	18 V	标称供电电压 (Vsup)：	15 V
表面贴装：	YES	技术：	BIPOLAR
温度等级：	MILITARY	端子形式：	GULL WING
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	总剂量：	100k Rad(Si) V
标称均一增益带宽：	3000 kHz	最小电压增益：	15000
宽带：	NO	宽度：	6.121 mm
Base Number Matches：	1

LF411MWGRLQMLV 数据手册

LF411QML

LF411QML Low Offset, Low Drift JFET Input Operational Amplifier

Literature Number: SNOSAO6B

12 3 4 5 6 7...20

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
LF411-N	TI	获取价格	Low Offset, Low Drift JFET Input Operational Amplifier
LF411P	TI	获取价格	JFET-INPUT OPERATIONAL AMPLIFIER
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LF411QML-SP	TI	获取价格	航天级、单路、30V、3MHz、低失调电压运算放大器
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