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LF412ACN

更新时间: 2024-09-21 12:46:31
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 运算放大器放大器电路光电二极管
页数 文件大小 规格书
16页 1315K
描述
LF412 Low Offset, Low Drift Dual JFET Input Operational Amplifier

LF412ACN 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:DIP
包装说明:DIP, DIP8,.3针数:8
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.33.00.01风险等级:5.58
放大器类型:OPERATIONAL AMPLIFIER架构:VOLTAGE-FEEDBACK
最大平均偏置电流 (IIB):0.0002 µA25C 时的最大偏置电流 (IIB):0.0002 µA
标称共模抑制比:100 dB频率补偿:YES
最大输入失调电流 (IIO):0.025 µA最大输入失调电压:1000 µV
JESD-30 代码:R-PDIP-T8JESD-609代码:e0
长度:9.59 mm低-偏置:YES
低-失调:NO湿度敏感等级:1
负供电电压上限:-22 V标称负供电电压 (Vsup):-20 V
功能数量:2端子数量:8
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:DIP
封装等效代码:DIP8,.3封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE包装方法:RAIL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED电源:+-20 V
认证状态:Not Qualified筛选级别:MIL-STD-883
座面最大高度:5.08 mm最小摆率:10 V/us
标称压摆率:15 V/us子类别:Operational Amplifier
最大压摆率:5.6 mA供电电压上限:22 V
标称供电电压 (Vsup):20 V表面贴装:NO
技术:BIPOLAR温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED标称均一增益带宽:4000 kHz
最小电压增益:25000宽度:7.62 mm
Base Number Matches:1

LF412ACN 数据手册

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LF412  
LF412 Low Offset, Low Drift Dual JFET Input Operational Amplifier  
Literature Number: SNOSBH7D  

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