是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | SOIC |
包装说明: | CERAMIC, SOIC-10 | 针数: | 10 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.33.00.01 | 风险等级: | 5.09 |
放大器类型: | OPERATIONAL AMPLIFIER | 最大平均偏置电流 (IIB): | 0.0002 µA |
标称共模抑制比: | 100 dB | 最大输入失调电压: | 2000 µV |
JESD-30 代码: | R-GDSO-G10 | JESD-609代码: | e0 |
湿度敏感等级: | 1 | 负供电电压上限: | -18 V |
标称负供电电压 (Vsup): | -15 V | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 10 | 最高工作温度: | 125 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 封装主体材料: | CERAMIC, GLASS-SEALED |
封装代码: | SOP | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
认证状态: | Not Qualified | 筛选级别: | MIL-PRF-38535 Class V |
座面最大高度: | 2.33 mm | 标称压摆率: | 15 V/us |
子类别: | Operational Amplifier | 供电电压上限: | 18 V |
标称供电电压 (Vsup): | 15 V | 表面贴装: | YES |
技术: | BIPOLAR | 温度等级: | MILITARY |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 | 标称均一增益带宽: | 4000 kHz |
宽度: | 6.12 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
LF411MWGRLQMLV | TI |
获取价格 |
航天级、单路、30V、3MHz、低失调电压运算放大器 | NAC | 10 | -55 t | |
LF411-N | TI |
获取价格 |
Low Offset, Low Drift JFET Input Operational Amplifier | |
LF411P | TI |
获取价格 |
JFET-INPUT OPERATIONAL AMPLIFIER | |
LF411QML | TI |
获取价格 |
LF411QML Low Offset, Low Drift JFET Input Operational Amplifier | |
LF411QML-SP | TI |
获取价格 |
航天级、单路、30V、3MHz、低失调电压运算放大器 | |
LF411XYZ | NSC |
获取价格 |
Low Offset, Low Drift JFET Input Operational Amplifier | |
LF412 | NSC |
获取价格 |
Low Offset, Low Drift Dual JFET Input Operational Amplifier | |
LF412 | TI |
获取价格 |
LF412 Low Offset, Low Drift Dual JFET Input Operational Amplifier | |
LF-412 | SIRENZA |
获取价格 |
Wideband RF/Pulse Transformers .01-25 MHz | |
LF412 MD8 | TI |
获取价格 |
Military-grade, dual, 30-V, 4-MHz, FET-input operational amplifier | Y | 0 | -55 to 125 |