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KTA2014

更新时间： 2024-10-30 11:32:15

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金誉半导体 - HTSEMI		晶体晶体管开关光电二极管
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3页	685K
描述
TRANSISTOR (PNP)

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KTA2014 数据手册

KTA2014

TRANSISTOR (PNP)

SOT-323

FEATURES

Low frequency power amplifier application

Power switching application

1. BASE

2. EMITTER

3. COLLECTOR

MAXIMUM RATINGS (T_A=25℃ unless otherwise noted)

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Parameter

Value

-50

Units

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current –Continuous

Collector Power Dissipation

Junction Temperature

-5

150

100

150

P_C*

T_J

℃

T_stg

Storage Temperature

-55-150

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Test conditions

MIN

TYP

MAX

UNIT

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

Emitter cut-off current

V_(BR)CBO

V_(BR)CEO

V_(BR)EBO

I_CBO

I_C=- 0.1mA, I_E=0

I_C= -1mA, I_B=0

I_E=-0.1mA, I_C=0

V_CB=-50V, I_E=0

V_EB= -5V, I_C=0

-50

-5

-0.1

400

-0.3

μA

I_EBO

DC current gain

h_FE

V_CE=-6V,I_C=-2mA

Collector-emitter saturation voltage

Transition frequency

V_CE(sat)

f_T

I_C=-100mA, I_B= -10mA

V_CE=-10V, I_C=-1mA,

MHz

V_CB=-10V, I_E=0

f=1MHz

Collector output capacitance

C_ob

V_CE=-6V, I_C=-0.1mA

f=1KHz,Rg=10KΩ

Noise Figure

CLASSIFICATION OF h_FE

Rank

O(2)

Y(4)

120-240

GR(6)

Range

70-140

200-400

MARKING

JinYu

semiconductor

www.htsemi.com

Date:2011/05

12 3

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