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KTA2014F

更新时间： 2024-02-21 10:38:30

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KEC		晶体晶体管开关光电二极管局域网
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描述
EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR

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KTA2014F 技术参数

生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.61	Base Number Matches：	1

KTA2014F 数据手册

SEMICONDUCTOR

KTA2014F

EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR

TECHNICAL DATA

GENERAL PURPOSE APPLICATION.

SWITCHING APPLICATION.

FEATURES

· Excellent h_FELinearity

: h_FE(0.1mA)/h_FE(2mA)=0.95(Typ.).

· Low Noise : NF=1dB(Typ.), 10dB(Max.).

· Complementary to KTC4075F.

· Thin Fine Pitch Small Package.

DIM MILLIMETERS

0.6+0.05

0.8 0.05

0.38+0.02/-0.04

0.2 0.05

1.0 0.05

0.35 0.05

0.1 0.05

0.15+0.05

MAXIMUM RATING (Ta=25℃)

CHARACTERISTIC

Collector-Base Voltage

SYMBOL

RATING

-50

UNIT

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

1. EMITTER

2. BASE

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

-50

3. COLLECTOR

-5

-150

-30

℃

TFSM

I_B

Base Current

P_C

Collector Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature Range

T_j

150

T_stg

-55∼ 150

℃

Marking

Type Name

Rank

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃)

CHARACTERISTIC

Collector Cut-off Current

SYMBOL

I_CBO

TEST CONDITION

MIN.

TYP.

MAX.

-0.1

400

-0.3

UNIT

μA

V_CB=-50V, I_E=0

I_EBO

V_EB=-5V, I_C=0

Emitter Cut-off Current

DC Current Gain

μA

h_FE(Note)

V_CE(sat)

f_T

V_CE=-6V, I_C=-2mA

I_C=-100mA, I_B=-10mA

V_CE=-10V, I_C=-1mA

V_CB=-10V, I_E=0, f=1MHz

V_CE=-6V, I_C=-0.1mA

f=1kHz, Rg=10kΩ

Collector-Emitter Saturation Voltage

Transition Frequency

-0.1

MHz

C_ob

Collector Output Capacitance

Noise Figure

1.0

Note : h_FEClassification O(2):70∼ 140, Y(4):120∼ 240, GR(6):200∼ 400

2005. 4. 21

Revision No : 0

1/3

12 3

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