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KTA2015W

更新时间: 2024-11-20 03:48:55
品牌 Logo 应用领域
银河微电 - BL Galaxy Electrical 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 171K
描述
PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor

KTA2015W 数据手册

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BL Galaxy Electrical  
Production specification  
PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor  
KTA2015W  
FEATURES  
Pb  
Lead-free  
z
z
z
z
Power dissipation.(PC=100mW)  
Excellent hFE Linearity.  
Complementary to KTC4076.  
Small package.  
APPLICATIONS  
z
General purpose application and switching application.  
SOT-323  
ORDERING INFORMATION  
Type No.  
Marking  
ZO/ZY  
Package Code  
SOT-323  
KTA2015W  
MAXIMUM RATING @ Ta=25unless otherwise specified  
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
Collector-Base Voltage  
VCBO  
-35  
V
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
VCEO  
VEBO  
IC  
-30  
-5  
V
V
Collector Current -Continuous  
Collector Dissipation  
-500  
100  
mA  
mW  
PC  
Junction and Storage Temperature  
Tj,Tstg  
-55~150  
Document number: BL/SSSTF048  
Rev.A  
www.galaxycn.com  
1

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