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KTA501U-Y PDF预览

KTA501U-Y

更新时间： 2024-01-13 15:12:18
品牌 Logo 应用领域
科信 - KEXIN 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 1045K
描述
PNP Transistors

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KTA501U-Y 技术参数

生命周期：Not Recommended包装说明：SUPER MINIMOLD, USV, 5 PIN
针数：5Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
风险等级：5.74最大集电极电流 (IC)：0.15 A
集电极-发射极最大电压：50 V配置：COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)：120JESD-30 代码：R-PDSO-G5
元件数量：2端子数量：5
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：PNP
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：80 MHzBase Number Matches：1

KTA501U-Y 数据手册

 浏览型号KTA501U-Y的Datasheet PDF文件第2页浏览型号KTA501U-Y的Datasheet PDF文件第3页 
SMD Type  
Transistors  
PNP Transistors  
KTA501U  
SOT-353  
Unit: mm  
+0.1  
-0.1  
1.3  
0.65  
■ Features  
● Excellent temperature response between these 2 transistor.  
● High pairing property in hFE  
● The follwing characteristics are common for Q1, Q2.  
.
+0.05  
-0.02  
+0.1  
0.1  
0.3  
-0.1  
5
4
+0.1  
-0.1  
2.1  
1. Q BASE  
1
2. Q , Q EMITTER  
2
1
3. Q BASE  
2
Q1  
Q2  
4. Q COLLECTOR  
2
5. Q COLLECTOR  
1
1
2
3
■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25℃  
Parameter  
Collector - Base Voltage  
Collector - Emitter Voltage  
Emitter - Base Voltage  
Symbol  
Rating  
-50  
Unit  
V
VCBO  
VCEO  
VEBO  
-50  
-5  
Collector Current - Continuous  
Base Current  
I
C
-150  
-30  
mA  
mW  
℃
I
B
Collector Power Dissipation  
Junction Temperature  
P
C
200  
150  
T
J
Storage Temperature Range  
T
stg  
-55 to 150  
■ Electrical Characteristics Ta = 25℃  
Parameter  
Symbol  
Test Conditions  
Min  
-50  
-50  
-5  
Typ  
Max  
Unit  
V
Collector- base breakdown voltage  
Collector- emitter breakdown voltage  
Emitter - base breakdown voltage  
Collector-base cut-off current  
Emitter cut-off current  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
Ic= -100 μA， I  
Ic= -1 mA， I = 0  
= -100μA， I  
E= 0  
B
I
E
C= 0  
I
CBO  
EBO  
V
V
CB= -50 V , I  
EB= -5V , I  
E
= 0  
-0.1  
-0.1  
-0.3  
-1.2  
400  
10  
uA  
V
I
C
=0  
Collector-emitter saturation voltage  
Base - emitter saturation voltage  
DC current gain  
V
CE(sat)  
BE(sat)  
I
I
C
=-100 mA, I  
B
=-10mA  
=-10mA  
V
C
=-100 mA, I  
B
hFE  
V
V
V
V
CE= -6V, I  
CE=-6V, I  
C
= -2mA  
=-0.1mA, f=1KHz , Rg=10KΩ  
= 0,f=1MHz  
= -1mA  
120  
80  
Noise Figure  
NF  
C
dB  
pF  
Collector output capacitance  
Transition frequency  
C
ob  
T
CB= -10V, I  
CE= -10V, I  
E
7
f
C
MHz  
■ Classification of hfe  
Type  
Range  
Marking  
KTA501U-Y  
120-240  
SY  
KTA501U-G  
200-400  
SG  
1
www.kexin.com.cn  
123

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