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KTA2017

更新时间: 2024-11-16 22:47:27
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KEC 晶体放大器晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
2页 233K
描述
EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (LOW NOISE AMPLIFIER)

KTA2017 技术参数

生命周期:Not Recommended包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数:3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.21.00.95
风险等级:5.77其他特性:LOW NOISE
最大集电极电流 (IC):0.1 A集电极-发射极最大电压:120 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):200
JESD-30 代码:R-PDSO-G3元件数量:1
端子数量:3封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
极性/信道类型:PNP认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):100 MHz
Base Number Matches:1

KTA2017 数据手册

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