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KTA2015_15

更新时间： 2024-09-24 01:25:15

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PNP TRANSISTOR

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KTA2015_15 数据手册

RoHS

KTA2015

SOT-323

KTA2015 TRANSISTOR (PNP)

1. BASE

2. EMITTER

3. COLLECTOR

FEATURES

Power dissipation

P_CM:

0.1

W (Tamb=25℃)

Collector current

I_CM:

-0.5

-35

Collector-base voltage

V_(BR)CBO

Operating and storage junction temperature range

T_J, T_stg: -55℃ to +150℃

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

V_(BR)CBO

V_(BR)CEO

V_(BR)EBO

I_CBO

Test conditions

Ic=-100µA, I_E=0

Ic=-1mA, I_B=0

MIN

-35

-30

-5

TYP

MAX

UNIT

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

I_E=-100µA, I_C=0

µA

V_CB=-35V, I_E=0

-0.1

240

I_EBO

Emitter cut-off current

V_EB=-5V, I_C=0

h_FE(1)

_CE=-1V, I_C=-100mA

DC current gain

V_CE=-6V, I_C=-400mA

h_FE(2)

V_CE(sat)

V_BE

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter voltage

I_C=-100mA, I_B=-10mA

_CE=-1V, I_C=-100mA

-0.25

-1

MHz

Transition frequency

f_T

V_CE=-6V, I_C=-20mA

_CB=-6V, I_E=0, f=1MHz

200

C_ob

Collector output capacitance

CLASSIFICATION OF h_FE(1)

Rank

WEJ ELECTRONIC CO.,LTD

70-140

120-240

Range

Marking

Http:// www.wej.cn

E-mail:wej@yongerjia.com

WEJ ELECTRONIC CO.

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