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KTA2014E

更新时间： 2024-11-18 17:15:39

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3页	85K
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KTA2014E 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.61	其他特性：	LOW NOISE
最大集电极电流 (IC)：	0.15 A	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	70
JESD-30 代码：	R-PDSO-F3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	80 MHz
Base Number Matches：	1

KTA2014E 数据手册

SEMICONDUCTOR

KTA2014E

EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR

TECHNICAL DATA

GENERAL PURPOSE APPLICATION.

SWITCHING APPLICATION.

FEATURES

· Excellent h_FELinearity

: h_FE(0.1mA)/h_FE(2mA)=0.95(Typ.).

· Low Noise : NF=1dB(Typ.), 10dB(Max.).

· Complementary to KTC4075E.

· Small Package.

DIM MILLIMETERS

1.60+0.20

0.85 0.10

0.70 0.10

0.27+0.10

1.60+0.10

· Suffix U : Qualified to AEC-Q101.

ex) KTA2014E-Y-RTK/PU

0.39 0.10

1.00 0.10

0.50

0.13+0.05

1. EMITTER

2. BASE

MAXIMUM RATING (Ta=25℃)

3. COLLECTOR

CHARACTERISTIC

Collector-Base Voltage

SYMBOL

RATING

-50

UNIT

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

ESM

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

-50

-5

-150

-30

℃

I_B

Base Current

Marking

P_C

Type Name

Collector Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature Range

100

T_j

150

Rank

T_stg

-55∼ 150

℃

)

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25

CHARACTERISTIC

Collector Cut-off Current

SYMBOL

I_CBO

TEST CONDITION

MIN.

TYP.

MAX.

-0.1

400

-0.3

UNIT

μA

V_CB=-50V, I_E=0

I_EBO

V_EB=-5V, I_C=0

Emitter Cut-off Current

DC Current Gain

μA

h_FE(Note)

V_CE(sat)

f_T

V_CE=-6V, I_C=-2mA

I_C=-100mA, I_B=-10mA

V_CE=-10V, I_C=-1mA

V_CB=-10V, I_E=0, f=1MHz

V_CE=-6V, I_C=-0.1mA

f=1kHz, Rg=10kΩ

Collector-Emitter Saturation Voltage

Transition Frequency

-0.1

MHz

C_ob

Collector Output Capacitance

Noise Figure

1.0

Note : h_FEClassification O(2):70∼ 140, Y(4):120∼ 240, GR(6):200∼ 400

2018. 04. 10

Revision No : 2

1/3

12 3

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