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KTA1040D PDF预览

KTA1040D

更新时间： 2024-01-21 05:12:39
品牌 Logo 应用领域
KEC 晶体晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
2页 402K
描述
EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (GENERAL PURPOSE, DPAK FOR SVRFACE MOUNT)

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KTA1040D 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.73最大集电极电流 (IC)：3 A
集电极-发射极最大电压：60 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：100JESD-30 代码：R-PSIP-T3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：20 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：30 MHzBase Number Matches：1

KTA1040D 数据手册

 浏览型号KTA1040D的Datasheet PDF文件第2页 
SEMICONDUCTOR  
KTA1040D/L  
EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR  
TECHNICAL DATA  
GENERAL PURPOSE APPLICATION.  
DPAK FOR SVRFACE MOUNT APPLICATIONS.  
A
C
I
J
FEATURES  
DIM MILLIMETERS  
_
6.60+0.2  
_
6.10+0.2  
_
5.0+0.2  
_
1.10+0.2  
_
2.70+0.2  
_
2.30+0.1  
A
B
C
D
E
F
Low Collector Saturation Voltage  
: VCE(sat)=-1.0V(Max.) at IC=-2A, IB=-0.2A.  
Straight Lead (IPAK, "L" Suffix)  
Complementary to KTC2020D/L.  
H
I
1.00 MAX  
_
2.30+0.2  
_
0.5+0.1  
_
2.00+0.20  
_
0.50+0.10  
_
0.91+ 0.10  
_
0.90+0.1  
_
1.00+0.10  
J
H
K
L
M
O
P
P
F
L
F
1
2
3
Q
0.95 MAX  
1. BASE  
MAXIMUM RATING (Ta=25  
CHARACTERISTIC  
)
2. COLLECTOR  
3. EMITTER  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
RATING  
-60  
UNIT  
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
DPAK  
-60  
V
-7  
V
-3  
A
A
C
I
J
IB  
Base Current  
-0.5  
1.0  
A
Ta=25  
Tc=25  
Collector Power  
Dissipation  
DIM MILLIMETERS  
PC  
W
_
6.60 0.2  
+
_
6.10 0.2  
+
A
B
C
D
E
F
20  
_
+
5.0 0.2  
_
1.10  
9.50  
2.30  
0.76  
+
0.2  
0.6  
0.1  
0.1  
P
H
G
Tj  
_
+
_
+
_
+
Junction Temperature  
150  
G
H
I
Tstg  
Storage Temperature Range  
-55 150  
1.0 MAX  
_
2.30+0.2  
_
0.5 0.1  
+
_
2.0 0.2  
+
J
F
F
L
K
L
P
_
+
0.50 0.1  
_
+
0.1  
1.0  
0.90 MAX  
1
2
3
Q
1. BASE  
2. COLLECTOR  
3. EMITTER  
IPAK  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25  
)
CHARACTERISTIC  
Collector Cut-off Current  
SYMBOL  
ICBO  
TEST CONDITION  
MIN.  
TYP.  
MAX.  
-100  
-100  
-
UNIT  
VCB=-60V, IE=0  
VEB=-7V, IC=0  
IC=-50mA, IB=0  
-
-
-
A
A
IEBO  
Emitter Cut-off Current  
-
-
V(BR)CEO  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
-60  
100  
20  
-
V
hFE(1)(Note) VCE=-5V, IC=-0.5A  
-
300  
-
DC Current Gain  
hFE(2)  
VCE(sat)  
VBE  
VCE=-5V, IC=-3A  
-
IC=-2A, IB=-0.2A  
Collector Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter Voltage  
-0.25  
-0.7  
30  
45  
-1.0  
-1.0  
-
V
V
VCE=-5V, IC=-0.5A  
VCE=-5V, IC=-0.5A  
VCB=-10V, IE=0, f=1MHz  
-
fT  
Transition Frequency  
-
MHz  
pF  
Cob  
Collector Output Capacitance  
-
-
OUTPUT  
ton  
tstg  
tf  
Turn-on Time  
-
-
-
0.4  
1.7  
0.5  
-
-
-
I
B2  
INPUT  
I
I
B1  
0
I
B1  
15Ω  
Storage Time  
Fall Time  
Switching Time  
S
B2  
20µsec  
-I =I =0.2A  
B2  
B1  
<
DUTY CYCLE 1%  
V
CC  
=-30V  
=
Note : hFE(1) Classification  
2003. 3. 27  
Y:100~200, GR:150~300.  
Revision No : 5  
1/2  
12

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