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KTA1225L PDF预览

KTA1225L

更新时间： 2024-11-19 22:32:03
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KEC 晶体晶体管高压局域网
页数 文件大小 规格书
3页 402K
描述
EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (HIGH VOLTAGE)

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KTA1225L 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.75
风险等级：5.73Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：1.5 A集电极-发射极最大电压：160 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：70
JESD-30 代码：R-PSIP-T3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
极性/信道类型：PNP认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：100 MHzBase Number Matches：1

KTA1225L 数据手册

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SEMICONDUCTOR  
KTA1225D/L  
EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR  
TECHNICAL DATA  
HIGH VOLTAGE APPLICATION.  
FEATURES  
A
C
I
J
High Transition Frequency : fT=100MHz(Typ.).  
Complementary to KTC2983D/L  
DIM MILLIMETERS  
_
6.60+0.2  
_
6.10+0.2  
_
5.0+0.2  
_
1.10+0.2  
_
2.70+0.2  
_
2.30+0.1  
A
B
C
D
E
F
H
I
1.00 MAX  
_
2.30+0.2  
_
0.5+0.1  
_
2.00+0.20  
MAXIMUM RATING (Ta=25  
CHARACTERISTIC  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
)
J
H
K
L
M
O
P
P
_
0.50+0.10  
_
0.91+ 0.10  
_
0.90+0.1  
_
1.00+0.10  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
RATING  
-160  
-160  
-5  
UNIT  
V
F
L
F
1
2
3
Q
0.95 MAX  
V
1. BASE  
2. COLLECTOR  
3. EMITTER  
V
-1.5  
A
IB  
Base Current  
-0.3  
A
DPAK  
1.0  
Ta=25  
Tc=25  
Collector Power  
Dissipation  
PC  
W
10  
Tj  
Junction Temperature  
150  
A
C
I
J
Tstg  
Storage Temperature Range  
-55 150  
DIM MILLIMETERS  
_
6.60 0.2  
+
_
6.10 0.2  
+
A
B
C
D
E
F
_
+
5.0 0.2  
_
1.10  
9.50  
2.30  
0.76  
+
0.2  
0.6  
0.1  
0.1  
P
H
G
_
+
_
+
_
+
G
H
I
1.0 MAX  
_
2.30+0.2  
_
0.5 0.1  
+
_
2.0 0.2  
+
J
F
F
L
K
L
P
_
+
0.50 0.1  
_
+
0.1  
1.0  
0.90 MAX  
1
2
3
Q
1. BASE  
2. COLLECTOR  
3. EMITTER  
IPAK  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25  
)
CHARACTERISTIC  
Collector Cut-off Current  
SYMBOL  
ICBO  
TEST CONDITION  
VCB=-160V, IE=0  
MIN.  
TYP.  
MAX.  
UNIT  
-
-
-1.0  
-1.0  
-
A
A
V
V
IEBO  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
hFE(Note)  
VCE(sat)  
VBE  
VEB=-5V, IC=0  
Emitter Cut-off Current  
-
-
IC=-10mA, IB=0  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
DC Current Gain  
-160  
-
-
IE=-1mA, IC=0  
-5.0  
-
VCE=-5V, IC=-100mA  
IC=-500mA, IB=-50mA  
VCE=-5V, IC=-500mA  
VCE=-10V, IC=-100mA  
VCB=-10V, IE=0, f=1MHz  
70  
-
-
240  
-1.5  
-1.0  
-
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter Voltage  
-
V
V
-
-
fT  
Transition Frequency  
-
100  
30  
MHz  
pF  
Cob  
Collector Output Capacitance  
-
-
Note : hFE Classification O:70~140, Y:120~240  
2003. 3. 27  
Revision No : 2  
1/3  
123

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