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KTA1266

更新时间： 2024-02-21 13:32:21

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KTA1266 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.68
其他特性：	LOW NOISE	最大集电极电流 (IC)：	0.15 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	120	JEDEC-95代码：	TO-92
JESD-30 代码：	O-PBCY-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	极性/信道类型：	PNP
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	BOTTOM	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	80 MHz

KTA1266 数据手册

KTA1266(PNP)

TO-92 Transistors

TO-92

1. EMITTER

2. COLLECTOR

3. BASE

Features

ꢀ

Excellent h_FELinearity

Low noise

ꢀ

Complementary to KTC3198

MAXIMUM RATINGS (T_A=25℃ unless otherwise noted)

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Parameter

Value

-50

Units

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

-50

-5

Dimensions in inches and (millimeters)

Collector Current -Continuous

Collector Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature

-0.15

625

P_C

T_j

150

℃

T_stg

-55-150

℃

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Test

conditions

MIN

-50

-5

TYP

MAX

UNIT

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

V_(BR)CBOI_C=-100μA, I_E=0

V_(BR)CEOI_C=-1mA, I_B=0

V_(BR)EBOI_E=-100μA, I_C=0

I_CBO

I_EBO

V_CB=-50V, I_E=0

V_EB=-5V, I_C=0

-0.1

400

μA

Emitter cut-off current

h_FE(1)

h_FE(2)

V_CE(sat)

V_BE(sat)

f_T

V_CE=-6V, I_C=-2mA

DC current gain

V_CE=-6V, I_C=-150mA

I_C=-100mA, I_B=-10mA

V_CE=-10V, I_C=-1mA

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter saturation voltage

Transition frequency

-0.3

-1.1

MHz

Collector output capacitance

C_ob

V_CB=-10V, I_E=0, f=1MHz

V_CE=-6V, I_c=-0.1mA,

f=1KHZ, Rg=10KΩ

Noise figure

CLASSIFICATION OF h_FE(1)

Rank

200-400

70-140

120-240

Range

Marking

http://www.lgesemi.com

Revision:20170701-P1

mail:lge@lgesemi.com

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