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KTA1242L PDF预览

KTA1242L

更新时间： 2024-02-01 02:21:54
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KEC 晶体晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
2页 398K
描述
EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (STROBO FLASH, HIGH CURRENT)

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KTA1242L 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.75
风险等级：5.74最大集电极电流 (IC)：5 A
集电极-发射极最大电压：20 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：160JESD-30 代码：R-PSIP-T3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：1.3 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：170 MHzBase Number Matches：1

KTA1242L 数据手册

 浏览型号KTA1242L的Datasheet PDF文件第2页 
SEMICONDUCTOR  
KTA1242D/L  
EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR  
TECHNICAL DATA  
STROBO FLASH APPLICATION.  
HIGH CURRENT APPLICATION.  
A
C
I
J
FEATURES  
DIM MILLIMETERS  
hFE=100 320 (VCE=-2V, IC=-0.5A).  
Low Collector Saturation Voltage.  
: VCE(sat)=-0.5V (IC=-3A, IB=-75mA).  
_
6.60+0.2  
_
6.10+0.2  
_
5.0+0.2  
_
1.10+0.2  
A
B
C
D
E
F
_
2.70+0.2  
_
2.30+0.1  
H
I
1.00 MAX  
_
2.30+0.2  
_
0.5+0.1  
J
_
2.00+0.20  
H
K
L
M
O
P
P
_
0.50+0.10  
_
0.91+ 0.10  
_
0.90+0.1  
_
1.00+0.10  
F
L
F
MAXIMUM RATING (Ta=25  
CHARACTERISTIC  
)
1
2
3
Q
0.95 MAX  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
RATING  
-35  
UNIT  
V
1. BASE  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltag  
Collector Current  
2. COLLECTOR  
3. EMITTER  
-20  
V
-8  
V
DPAK  
-5  
A
IB  
Base Current  
-0.5  
A
PC  
Collector Power Dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature Range  
1.0  
W
A
C
I
J
Tj  
150  
Tstg  
-55 150  
DIM MILLIMETERS  
_
6.60 0.2  
+
_
6.10 0.2  
+
A
B
C
D
E
F
_
+
5.0 0.2  
_
1.10  
9.50  
2.30  
0.76  
+
0.2  
0.6  
0.1  
0.1  
P
H
G
_
+
_
+
_
+
G
H
I
1.0 MAX  
_
2.30+0.2  
_
0.5 0.1  
+
J
F
F
L
_
+
K
L
P
2.0 0.2  
_
+
0.50 0.1  
_
+
0.1  
1.0  
0.90 MAX  
1
2
3
Q
1. BASE  
2. COLLECTOR  
3. EMITTER  
IPAK  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25  
)
CHARACTERISTIC  
Collector Cut-off Current  
SYMBOL  
ICBO  
TEST CONDITION  
VCB=-35V, IE=0  
MIN.  
TYP.  
MAX.  
UNIT  
-
-
-
-100  
nA  
nA  
V
IEBO  
VEB=-8V, IC=0  
Emitter Cut-off Current  
-
-100  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
hFE(1) (Note)  
hFE(2)  
VCE(sat)  
VBE  
IC=-10mA, IB=0  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
-20  
-8  
100  
70  
-
-
-
IE=-1mA, IC=0  
-
-
-
320  
-
V
VCE=-2V, IC=-0.5A  
VCE=-2V, IC=-4A  
IC=-3A, IB=-75mA  
VCE=-2V, IC=-4A  
VCE=-2V, IC=-0.5A  
VCB=-10V, IE=0, f=1MHz  
DC Current Gain  
-
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter Voltage  
-
-0.5  
-1.5  
-
V
V
-
-
fT  
Transition Frequency  
-
170  
62  
MHz  
pF  
Cob  
Collector Output Capacitance  
-
-
Note : hFE(1) Classification O:100~200, Y:160~320  
2003. 3. 27  
Revision No : 4  
1/2  
12

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