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KTA1266

更新时间： 2024-02-08 05:47:37
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SECOS /
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1页 69K
描述
PNP Plastic Encapsulated Transistor

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KTA1266 技术参数

生命周期：Contact Manufacturer包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.68
其他特性：LOW NOISE最大集电极电流 (IC)：0.15 A
集电极-发射极最大电压：50 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：120JEDEC-95代码：TO-92
JESD-30 代码：O-PBCY-T3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL极性/信道类型：PNP
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：BOTTOM晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：80 MHz

KTA1266 数据手册

  
KTA1266  
-0.15A , -50V  
PNP Plastic Encapsulated Transistor  
Elektronische Bauelemente  
RoHS Compliant Product  
A suffix of “-C” specifies halogen & lead-free  
TO-92  
FEATURE  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
Excellent hFE Linearity  
Low Noise  
Complementary to KTC3198  
CLASSIFICATION OF hFE (1)  
Product-Rank  
KTA1266-O  
KTA1266-Y  
120~240  
KTA1266-GR  
200~400  
Range  
70~140  
1Emitter  
2Collector  
3Base  
Collector  
2
3
Base  
Millimeter  
Millimeter  
REF.  
REF.  
Min.  
4.40  
4.30  
12.70  
3.30  
0.36  
Max.  
4.70  
4.70  
-
3.81  
0.56  
Min.  
Max.  
A
B
C
D
E
F
G
H
J
0.30  
0.51  
1.27 TYP.  
1.10  
2.42  
0.36  
1.40  
2.66  
0.76  
1
Emitter  
K
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25°C unless otherwise specified)  
Parameter  
Collector to Base Voltage  
Symbol  
Ratings  
Unit  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
-50  
V
V
Collector to Emitter Voltage  
Emitter to Base Voltage  
-50  
-5  
V
Collector Current - Continuous  
Collector Power Dissipation  
Junction, Storage Temperature  
-150  
mA  
mW  
°C  
PC  
625  
TJ, TSTG  
150, -55~150  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA=25°C unless otherwise specified)  
Parameter  
Symbol  
Min.  
Typ. Max.  
Unit  
Test Conditions  
Collector to Base Breakdown Voltage  
Collector to Emitter Breakdown Voltage  
Emitter to Base Breakdown Voltage  
Collector Cut-Off Current  
V(BR)CBO  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
ICBO  
-50  
-50  
-5  
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
V
V
IC= -100µA, IE=0  
IC= -1mA, IB=0  
-
V
IE= -100µA, IC=0  
-0.1  
-0.1  
400  
-
µA  
µA  
VCB= -50V, IE=0  
Emitter Cut-Off Current  
IEBO  
-
VEB= -5V, IC=0  
hFE (1)  
hFE (2)  
VCE(sat)  
VBE(sat)  
fT  
70  
25  
-
VCE= -6V, IC= -2mA  
VCE= -6V, IC= -150mA  
IC= -100mA, IB= -10mA  
IC= -100mA, IB= -10mA  
DC Current Gain  
Collector to Emitter Saturation Voltage  
Base to Emitter Saturation Voltage  
Transition Frequency  
-0.3  
-1.1  
-
V
V
-
80  
-
MHz VCE= -10V, IC= -1mA  
Collector Output Capacitance  
Cob  
7
pF  
VCE= -10V, IE=0, f=1MHz  
VCE= -6V, IC= -0.1mA,  
f=1KHz, Rg=10KΩ  
Noise Figure  
NF  
-
-
10  
dB  
http://www.SeCoSGmbH.com/  
Any changes of specification will not be informed individually.  
18-Dec-2012 Rev. A  
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