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KTA1266

更新时间： 2024-02-06 02:28:49

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WEITRON		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	210K
描述
PNP Plastic-Encapsulate Transistor

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KTA1266 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.68
其他特性：	LOW NOISE	最大集电极电流 (IC)：	0.15 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	120	JEDEC-95代码：	TO-92
JESD-30 代码：	O-PBCY-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	极性/信道类型：	PNP
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	BOTTOM	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	80 MHz

KTA1266 数据手册

KTA1266

WEITRON

PNP Plastic-Encapsulate Transistor

P b

Lead(Pb)-Free

1. EMITTER

2. COLLECTOR

3. BASE

FEATURES :

• Excellent hFE Linearity

•� Low noise

TO-92

MAXIMUM RATINGS (T_A=25℃ unless otherwise noted)

Parameter

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current -Continuous

Collector Power Dissipation

Junction Temperature

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Value

-50

Units

-5

-0.15

625

150

P_C

T_J

℃

Storage Temperature

T_stg

-55-150

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

V_(BR)CBO

V_(BR)CEO

V_(BR)EBO

I_CBO

Test

conditions

MIN

-50

-5

TYP

MAX

UNIT

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

I_C= -100μA, I_E=0

I_C= -1mA,I_B=0

I_E= -100μA,I_C=0

V_CB= -50V, I_E

-0.1

400

μA

Emitter cut-off current

I_EBO

V_EB= -5V, I_C=0

h_FE(1)

V_CE= -6V,I_C= -2mA

V_CE= -6V,I_C= -150mA

DC current gain

h_FE(2)

-0.3

-1.1

V_CE(sat)

V_BE(sat)

f_T

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter saturation voltage

Transition frequency

_C= -100mA,I_B= -10 mA

V_CE= -10V,

MHz

I_C= -1mA

C_ob

VCB= -10V,IE=0, f=1MHz

Collector output capacitance

Noise figure

VCE= -6V, Ic= -0.1mA,

f=1KHZ, Rg=10KΩ

CLASSIFICATION OF h_FE(1)

Rank

120 - 240

Range

Marking

70 - 140

200 - 400

WEITRON

hpp://www.weitron.com.tw

04-Oct-2010

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12 3

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