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KST3906MTF

更新时间： 2024-09-24 12:23:39
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体小信号双极晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 113K
描述
PNP Epitaxial Silicon Transistor

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KST3906MTF 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：SOT-23
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
风险等级：5.47Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：0.2 A集电极-发射极最大电压：40 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：30
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：0.35 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：250 MHz
最大关闭时间（toff）：300 ns最大开启时间（吨）：70 ns
Base Number Matches：1

KST3906MTF 数据手册

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September 2010  
KST3906  
PNP Epitaxial Silicon Transistor  
Features  
• General Purpose Transistor  
3
Marking  
2
2A  
SOT-23  
1
1. Base 2. Emitter 3. Collector  
Absolute Maximum Ratings Ta = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
Parameter  
Collector-Base Voltage  
Value  
-40  
Unit  
V
V
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
-40  
-5  
V
-200  
350  
150  
mA  
mW  
°C  
PC  
Collector Power Dissipation  
Storage Temperature  
TSTG  
Electrical Characteristics Ta=25°C unless otherwise noted  
Symbol  
BVCBO  
BVCEO  
BVEBO  
ICEX  
Parameter  
Collector-Base Breakdown Voltage  
Test Condition  
IC= -10μA, IE=0  
Min.  
-40  
-40  
-5  
Max.  
Unit  
V
V
* Collector-Emitter Breakdown Voltage IC= -1.0mA, IB=0  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector Cut-off Current  
* DC Current Gain  
IE= -10μA, IC=0  
VCE= -30V, VEB= -3V  
V
-50  
nA  
hFE  
VCE= -1V, IC= -0.1mA  
VCE= -1V, IC= -1mA  
VCE= -1V, IC= -10mA  
VCE= -1V, IC= -50mA  
VCE= -1V, IC= -100mA  
60  
80  
100  
60  
300  
30  
VCE (sat) * Collector-Emitter Saturation Voltage IC= -10mA, IB= -1.0mA  
IC= -50mA, IB= -5.0mA  
-0.25  
-0.4  
V
V
VBE (sat) * Base-Emitter Saturation Voltage  
IC= -10mA, IB= -1.0mA  
IC= -50mA, IB= -5.0mA  
-0.65  
250  
-0.85  
-0.95  
V
V
fT  
Current Gain Bandwidth Product  
Output Capacitance  
Noise Figure  
IC= -10mA, VCE= -20V, f=100MHz  
VCB= -5V, IE=0, f=1.0MHz  
MHz  
pF  
Cob  
NF  
4.5  
4
IC= -100μA, VCE= -5V  
dB  
RS=1KΩ, f=10Hz to 15.7KHz  
tON  
Turn On Time  
Turn Off Time  
VCC= -3V, VBE= -0.5V  
IC= -10mA, IB1= -1mA  
70  
ns  
ns  
tOFF  
VCC= -3V, IC= -10mA  
IB1=IB2= -1mA  
300  
* Pulse Test: Pulse Width≤300μs, Duty Cycle≤2%  
© 2010 Fairchild Semiconductor Corporation  
KST3906 Rev. A3  
www.fairchildsemi.com  
1
1234

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KST3906MTF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
MMBT3906K FAIRCHILD

完全替代

 PNP Epitaxial Silicon Transistor
BSR18A FAIRCHILD

完全替代

 PNP General Purpose Amplifier

与KST3906MTF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
KST3906MTF_NL FAIRCHILD

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,
KST3906TF SAMSUNG

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-23,
KST3906TI SAMSUNG

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-23,
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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-23,
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 		General Purpose Transistor
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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
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