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KST4123S62Z PDF预览

KST4123S62Z

更新时间： 2024-11-12 14:34:11
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 43K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon

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KST4123S62Z 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：5.84
最大集电极电流 (IC)：0.2 A集电极-发射极最大电压：30 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：25
JESD-30 代码：R-PDSO-G3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：250 MHzBase Number Matches：1

KST4123S62Z 数据手册

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KST4123  
General Purpose Transistor  
3
2
SOT-23  
1
1. Base 2. Emitter 3. Collector  
NPN Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Value  
40  
Units  
V
V
V
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
CBO  
30  
V
CEO  
EBO  
5
V
I
200  
350  
150  
357  
mA  
mW  
°C  
C
P
Collector Power Dissipation  
Storage Temperature  
C
T
STG  
R
(j-a)  
Thermal Resistance junction to Ambient  
°C/W  
TH  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
Max.  
Units  
BV  
Collector-Base Breakdown Voltage  
I =10µA, I =0  
40  
30  
5
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
C
E
BV  
BV  
* Collector-Emitter Breakdown Voltage I =1mA, I =0  
C E  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector Cut-off Current  
Emitter Cut-off Current  
* DC Current Gain  
I =10µA, I =0  
V
E
C
I
I
V
=20V, I =0  
50  
50  
nA  
nA  
CBO  
EBO  
CB  
EB  
E
V
=3V, I =0  
C
h
V
V
=1V, I =2mA  
50  
25  
150  
FE  
CE  
CE  
C
=1V, I =50mA  
C
V
V
(sat)  
(sat)  
* Collector-Emitter Saturation Voltage  
* Base-Emitter Saturation Voltage  
Current Gain Bandwidth Product  
Input Capacitance  
I =50mA, I =5mA  
0.3  
V
V
CE  
C
B
I =50mA, I =5mA  
0.95  
BE  
C
B
f
V
=20V, I =10mA, f=100MHz  
250  
MHz  
pF  
pF  
dB  
T
CE  
BE  
CB  
CE  
C
C
C
V
V
V
=0.5V, I =0, f=100KHz  
8
4
6
ib  
C
Output Capacitance  
=5V, I =0, f=100KHz  
E
ob  
NF  
Noise Figure  
=5V, I =100µA, R =1KΩ  
C S  
Noise Bandwidth=10Hz to 15.7KHz  
* Pulse Test: PW≤300µs, Duty Cycle≤2%  
Marking  
5B  
©2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A1, July 2001  
123

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
KST4123TF SAMSUNG

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SOT-23,
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