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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> KST4124
KST4124 PDF预览

KST4124

更新时间： 2024-11-11 22:32:07
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体小信号双极晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 46K
描述
General Purpose Transistor

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KST4124 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.91其他特性：BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 2.13
最大集电极电流 (IC)：0.2 A集电极-发射极最大电压：25 V
配置：SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR最小直流电流增益 (hFE)：60
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：0.35 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：300 MHz
Base Number Matches：1

KST4124 数据手册

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KST4124  
General Purpose Transistor  
3
2
SOT-23  
1
1. Base 2. Emitter 3. Collector  
NPN Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Value  
30  
Units  
V
V
V
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
CBO  
25  
V
CEO  
EBO  
5
V
I
200  
350  
150  
mA  
mW  
°C  
C
P
Collector Power Dissipation  
C
T
Storage Temperature  
STG  
• Refer to KST3904 for graphs  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Collector-Base Breakdown Voltage  
* Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector Cut-off Current  
Test Condition  
Min.  
Max.  
Units  
BV  
I =10µA, I =0  
30  
25  
5
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
C
E
BV  
BV  
I =1.0mA, I =0  
C B  
I =10µA, I =0  
V
E
C
I
I
V
=20V, I =0  
50  
50  
nA  
nA  
CBO  
EBO  
CB  
EB  
E
Emitter Cut-off Current  
V
=3V, I =0  
C
h
* DC Current Gain  
V
V
=1V, I =2mA  
120  
60  
360  
FE  
CE  
CE  
C
=1V, I =50mA  
C
V
V
(sat)  
(sat)  
* Collector-Emitter Saturation Voltage  
* Base-Emitter Saturation Voltage  
Current Gain Bandwidth Product  
I =50mA, I =5.0mA  
0.3  
V
V
CE  
C
B
I =50mA, I =5.0mA  
0.95  
BE  
C
B
f
I =10mA, V =20V  
300  
MHz  
T
C
CE  
f=100MHz  
C
Output Capacitance  
Noise Figure  
V
=5V, I =0, f=1.0MHz  
4
5
pF  
dB  
ob  
CB  
E
NF  
I =100µA, V =5V  
C CE  
R =1KΩ  
S
f=10Hz to 15.7KHz  
* Pulse Test: PW≤300µs, Duty Cycle≤2%  
Marking  
ZC  
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A2, November 2002  
123

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