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KST4125S62Z PDF预览

KST4125S62Z

更新时间： 2024-11-12 19:45:55
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 43K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon

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KST4125S62Z 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：5.83
最大集电极电流 (IC)：0.2 A集电极-发射极最大电压：30 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：25
JESD-30 代码：R-PDSO-G3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：PNP认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：200 MHzBase Number Matches：1

KST4125S62Z 数据手册

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KST4125  
General Purpose Transistor  
3
2
SOT-23  
1
1. Base 2. Emitter 3. Collector  
PNP Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Value  
-30  
Units  
V
V
V
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
CBO  
-30  
V
CEO  
EBO  
-4  
V
I
-200  
350  
150  
mA  
mW  
°C  
C
P
Collector Power Dissipation  
C
T
Storage Temperature  
STG  
• Refer to KST3906 for graphs  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Collector-Base Breakdown Voltage  
* Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector Cut-off Current  
Test Condition  
Min.  
Max.  
Units  
BV  
I = -10µA, I =0  
-30  
-30  
-4  
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
C
E
BV  
BV  
I = -1mA, I =0  
C E  
I = -10µA, I =0  
V
E
C
I
I
V
= -20V, I =0  
-50  
-50  
150  
nA  
nA  
CBO  
EBO  
CB  
EB  
E
Emitter Cut-off Current  
V
= -3V, I =0  
C
h
* DC Current Gain  
V
V
= -1V, I = -2.0mA  
50  
25  
FE  
CE  
CE  
C
= -1V, I = -50mA  
C
V
V
(sat)  
(sat)  
* Collector-Emitter Saturation Voltage  
* Base-Emitter Saturation Voltage  
Current Gain Bandwidth Product  
I = -50mA, I = -5.0mA  
-0.4  
V
V
CE  
C
B
I = -50mA, I = -5.0mA  
-0.95  
BE  
C
B
f
I = -10mA, V = -20V  
200  
MHz  
T
C
CE  
f=100MHz  
C
Output Capacitance  
Noise Figure  
V
= -5V, I =0, f=100KHz  
4.5  
5
pF  
dB  
ob  
CB  
E
NF  
I = -100µA, V = -5V  
C CE  
R =1KΩ  
S
f=10Hz to 15.7KHz  
* Pulse Test: PW≤300µs, Duty Cycle≤2%  
Marking  
ZD  
©2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A1, July 2001  
123

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
KST4125TF SAMSUNG

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