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KST4125MTF PDF预览

KST4125MTF

更新时间： 2024-09-24 20:11:31
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 42K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,

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KST4125MTF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.81最大集电极电流 (IC)：0.2 A
集电极-发射极最大电压：30 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：25JESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：0.35 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：200 MHzBase Number Matches：1

KST4125MTF 数据手册

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KST4125  
General Purpose Transistor  
3
2
SOT-23  
1
1. Base 2. Emitter 3. Collector  
PNP Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Value  
-30  
Units  
V
V
V
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
CBO  
-30  
V
CEO  
EBO  
-4  
V
I
-200  
350  
150  
mA  
mW  
°C  
C
P
Collector Power Dissipation  
C
T
Storage Temperature  
STG  
• Refer to KST3906 for graphs  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Collector-Base Breakdown Voltage  
* Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector Cut-off Current  
Test Condition  
Min.  
Max.  
Units  
BV  
I = -10µA, I =0  
-30  
-30  
-4  
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
C
E
BV  
BV  
I = -1mA, I =0  
C E  
I = -10µA, I =0  
V
E
C
I
I
V
= -20V, I =0  
-50  
-50  
150  
nA  
nA  
CBO  
EBO  
CB  
EB  
E
Emitter Cut-off Current  
V
= -3V, I =0  
C
h
* DC Current Gain  
V
V
= -1V, I = -2.0mA  
50  
25  
FE  
CE  
CE  
C
= -1V, I = -50mA  
C
V
V
(sat)  
(sat)  
* Collector-Emitter Saturation Voltage  
* Base-Emitter Saturation Voltage  
Current Gain Bandwidth Product  
I = -50mA, I = -5.0mA  
-0.4  
V
V
CE  
C
B
I = -50mA, I = -5.0mA  
-0.95  
BE  
C
B
f
I = -10mA, V = -20V  
200  
MHz  
T
C
CE  
f=100MHz  
C
Output Capacitance  
Noise Figure  
V
= -5V, I =0, f=100KHz  
4.5  
5
pF  
dB  
ob  
CB  
E
NF  
I = -100µA, V = -5V  
C CE  
R =1KΩ  
S
f=10Hz to 15.7KHz  
* Pulse Test: PW≤300µs, Duty Cycle≤2%  
Marking  
ZD  
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A2, November 2002  
123

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