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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> KST3906MTF_NL
KST3906MTF_NL PDF预览

KST3906MTF_NL

更新时间： 2024-11-13 13:09:11
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 58K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,

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KST3906MTF_NL 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：5.53
最大集电极电流 (IC)：0.2 A集电极-发射极最大电压：40 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：30
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：0.35 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：250 MHz
最大关闭时间（toff）：300 ns最大开启时间（吨）：70 ns
Base Number Matches：1

KST3906MTF_NL 数据手册

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KST3906  
3
General Purpose Transistor  
2
SOT-23  
1
1. Base 2. Emitter 3. Collector  
PNP Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Value  
-40  
Units  
V
V
V
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
CBO  
-40  
V
CEO  
EBO  
-5  
V
I
-200  
350  
150  
mA  
mW  
°C  
C
P
Collector Power Dissipation  
Storage Temperature  
C
T
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Collector-Base Breakdown Voltage  
* Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector Cut-off Current  
Test Condition  
Min.  
Max.  
Units  
BV  
I = -10µA, I =0  
-40  
-40  
-5  
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
C
E
BV  
BV  
I
I = -1.0mA, I =0  
C B  
I =10µA, I =0  
V
E
C
V
= -30V, V = -3V  
EB  
-50  
nA  
CEX  
CE  
h
* DC Current Gain  
V
V
V
V
V
= -1V, I = -0.1mA  
C
60  
80  
100  
60  
FE  
CE  
CE  
CE  
CE  
CE  
= -1V, I = -1mA  
C
= -1V, I = -10mA  
C
= -1V, I = -50mA  
C
300  
= -1V, I = -100mA  
C
30  
V
(sat)  
(sat)  
* Collector-Emitter Saturation Voltage  
* Base-Emitter Saturation Voltage  
Current Gain Bandwidth Product  
I = -10mA, I = -1mA  
C B  
-0.25  
-0.4  
V
V
CE  
BE  
I = -50mA, I = -5.0mA  
C
B
V
f
I = -10mA, I = -1.0mA  
C B  
-0.65  
250  
-0.85  
-0.95  
V
V
I = -50mA, I = -5.0mA  
C
B
I = -10mA, V = -20V  
MHz  
T
C
CE  
f=100MHz  
C
Output Capacitance  
Noise Figure  
V
= -5V, I =0, f=1.0MHz  
CB E  
4.5  
4
pF  
dB  
ob  
NF  
I = -100µA, V = -5V  
C CE  
R =1KΩ  
S
f=10Hz to 15.7KHz  
V = -3V, V = -0.5V  
CC  
t
Turn On Time  
Turn Off Time  
70  
ns  
ns  
ON  
BE  
I = -10mA, I = -1mA  
C
B1  
t
V
= -3V, I = -10mA  
CC C  
300  
OFF  
I
=I = -1mA  
B1 B2  
* Pulse Test: Pulse Width≤300µs, Duty Cycle≤2%  
Marking  
2A  
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A2, November 2002  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
KST3906TF SAMSUNG

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-23,
KST3906TI SAMSUNG

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 		General Purpose Transistor
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