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KSP42ATA

更新时间： 2024-09-18 20:54:11
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 98K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92

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KSP42ATA 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.72
最大集电极电流 (IC)：0.5 A集电极-发射极最大电压：300 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：40
JEDEC-95代码：TO-92JESD-30 代码：O-PBCY-T3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：BOTTOM晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：50 MHz
Base Number Matches：1

KSP42ATA 数据手册

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KSP42/43  
High Voltage Transistor  
•
Collector-Emitter Voltage: V  
=KSP42: 300V  
KSP43: 200V  
CEO  
•
Collector Power Dissipation: P (max)=625mW  
C
TO-92  
1. Emitter 2. Base 3. Collector  
1
NPN Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
V
V
V
Collector Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
CBO  
: KSP42  
: KSP43  
300  
200  
V
V
CEO  
EBO  
: KSP42  
: KSP43  
300  
200  
V
V
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
6
500  
V
I
mA  
mW  
°C  
C
P
Collector Power Dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
625  
C
T
T
150  
J
-55 ~ 150  
°C  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
Max.  
Units  
BV  
Collector-Base Breakdown Voltage  
I =100µA, I =0  
CBO  
CEO  
EBO  
C
E
: KSP42  
: KSP43  
300  
200  
V
V
BV  
BV  
* Collector -Emitter Breakdown Voltage  
I =1mA, I =0  
C B  
: KSP42  
: KSP43  
300  
200  
V
V
Emitter-Base Breakdown Voltage  
I =100µA, I =0  
6
V
E
C
I
Collector Cut-off Current  
: KSP42  
CBO  
V
V
=200V, I =0  
=160V, I =0  
E
100  
100  
nA  
nA  
CB  
CB  
E
: KSP43  
I
Emitter Cut-off Current  
: KSP42  
EBO  
V
V
=6V, I =0  
=4V, I =0  
C
100  
100  
nA  
nA  
BE  
BE  
C
: KSP43  
h
* DC Current Gain  
V
V
V
=10V, I =1mA  
25  
40  
40  
FE  
CE  
CE  
CE  
C
=10V, I =10mA  
C
=10V, I =30mA  
C
V
V
(sat)  
(sat)  
* Collector-Emitter Saturation Voltage  
* Base-Emitter Saturation Voltage  
I =20mA, I =2mA  
0.5  
0.9  
V
V
CE  
BE  
C
B
I =20mA, I =2mA  
C
B
C
Output Capacitance  
: KSP42  
V
=20V, I =0  
CB E  
ob  
f=1MHz  
3
4
pF  
pF  
: KSP43  
f
Current Gain Bandwidth Product  
V
=20V, I =10mA  
50  
MHz  
T
CE  
C
f=100MHz  
* Pulse Test: PW≤300µs, Duty Cycle≤2%  
©2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A1, July 2001  
1234567

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