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KSP44J05Z

更新时间： 2024-09-18 15:36:31
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 93K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 500V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, 3 PIN

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KSP44J05Z 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-92
包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.75
最大集电极电流 (IC)：0.3 A集电极-发射极最大电压：500 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：40
JESD-30 代码：O-PBCY-T3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：BOTTOM晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

KSP44J05Z 数据手册

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KSP44/45  
NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR  
HIGH VOLTAGE TRANSISTOR  
· Collector-Emitter Voltage: VCEO=KSP44: 400V  
KSP45: 350V  
TO-92  
· Collector Dissipation: PC (max)=625mW  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25°C)  
Characteristic  
Symbol  
Rating  
Unit  
Collector Base Voltage  
VCBO  
: KST44  
: KST45  
Collector-Emitter Voltage  
500  
400  
V
V
VCEO  
: KST44  
: KST45  
V
V
V
500  
400  
6
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
VEBO  
IC  
mA  
300  
Collector Dissipation (TA=25°C)  
Collector Dissipation (TC=25°C)  
Junction Temperature  
PC  
mW  
625  
PC  
TJ  
TSTG  
W
1.5  
150  
-55~150  
°C  
°C  
Storage Temperature  
1. Emitter 2. Base 3. Collector  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA=25°C)  
Characteristic  
Symbol  
Test Conditions  
Min  
Max  
Unit  
IC=100mA, IB=0  
Collector-Base Breakdown Voltage  
BVCBO  
V
V
: KST44  
500  
400  
: KST45  
*Collector -Emitter Breakdown Voltage  
: KST44  
IC=1mA, IB=0  
BVCEO  
V
V
V
500  
400  
6
: KST45  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector Cut-off Current  
: KST44  
IE=100mA, IC=0  
BVEBO  
ICBO  
mA  
mA  
VCB=400V, IE=0  
VCB=320V, IE=0  
0.1  
0.1  
: KST45  
Collector Cut-off Current  
: KST44  
ICES  
VCE=400V, IB=0  
VCE=320V, IB=0  
VEB=4V, IC=0  
VCE=10V, IC=1mA  
VCE=10V, IC=10mA  
VCE=10V, IC=50mA  
VCE=10V, IC=100mA  
IC=1mA, IB=0.1mA  
mA  
mA  
mA  
0.5  
0.5  
0.1  
: KST45  
Emitter Cut-off Current  
*DC Current Gain  
IEBO  
hFE  
40  
50  
45  
40  
200  
*Collector-Emitter Saturation Voltage  
V
V
V
V
pF  
VCE (sat)  
0.4  
0.5  
0.75  
0.75  
7
IC=10mA, IB=1mA  
IC=50mA, IB=5mA  
IC=10mA, IB=1mA  
VCB=20V, IE=0  
f=1MHz  
*Base-Emitter Saturation Voltage  
Output Capacitance  
VBE (sat)  
COB  
* Pulse Test: PW£300ms, Duty Cycle£2%  
Rev. B  
ã
1999 Fairchild Semiconductor Corporation  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
KSP44J18Z FAIRCHILD

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