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KSP42J18Z

更新时间： 2024-09-18 14:43:07
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 53K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, 3 PIN

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KSP42J18Z 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-92
包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.76
最大集电极电流 (IC)：0.5 A集电极-发射极最大电压：300 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：40
JESD-30 代码：O-PBCY-T3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：BOTTOM晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：50 MHzBase Number Matches：1

KSP42J18Z 数据手册

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KSP42/43  
NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR  
HIGH VOLTAGE TRANSISTOR  
· Collector-Emitter Voltage: VCEO=KSP42: 300V  
KSP43: 200V  
TO-92  
· Collector Dissipation: PC(max)=625mW  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25°C)  
Characteristic  
Symbol  
Rating  
Unit  
Collector Base Voltage  
VCBO  
: KST42  
: KST43  
Collector-Emitter Voltage  
300  
200  
V
V
VCEO  
: KST42  
: KST43  
V
V
V
mA  
mW  
°C  
°C  
300  
200  
6
500  
625  
150  
357  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
Collector Dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
VEBO  
IC  
PC  
TJ  
TSTG  
1. Emitter 2. Base 3. Collector  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA=25°C)  
Characteristic  
Symbol  
Test Conditions  
Min  
Max  
Unit  
IC=100mA, IE=0  
Collector-Base Breakdown Voltage  
BVCBO  
: KST42  
300  
200  
V
V
: KST43  
*Collector -Emitter Breakdown Voltage  
: KST42  
IC=1mA, IB=0  
BVCEO  
V
V
V
300  
200  
6
: KST43  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector Cut-off Current  
: KST42  
IE=100mA, IC=0  
BVEBO  
ICBO  
VCB=200V, IE=0  
VCB=160V, IE=0  
nA  
nA  
100  
100  
: KST43  
Emitter Cut-off Current  
: KST42  
IEBO  
VBE=6V, IC=0  
VBE=4V, IC=0  
VCE=10V, IC=1mA  
VCE=10V, IC=10mA  
VCE=10V, IC=30mA  
IC=20mA, IB=2mA  
nA  
nA  
100  
100  
: KST43  
*DC Current Gain  
25  
40  
40  
hFE  
*Collector-Emitter Saturation Voltage  
*Base-Emitter Saturation Voltage  
Collector-Base Capacitance  
: KST42  
: KST43  
Current Gain Bandwidth Product  
VCE (sat)  
VBE (sat)  
CCB  
V
V
0.5  
0.9  
IC=20mA, IB=2mA  
VCB=20V, IE=0  
f=1MHz  
pF  
pF  
MHz  
3
4
VCE=20V, IC=10mA  
f=100MHz  
fT  
50  
* Pulse Test: PW£300ms, Duty Cycle£2%  
Rev. B  
ã
1999 Fairchild Semiconductor Corporation  
123

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