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KSH200 PDF预览

KSH200

更新时间： 2024-11-13 22:32:07
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率双极晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 53K
描述
D-PAK for Surface Mount Applications

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KSH200 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-252包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.14Is Samacsys：N
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：5 A
集电极-发射极最大电压：25 V配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小直流电流增益 (hFE)：10JEDEC-95代码：TO-252
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e0
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：12 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：65 MHzBase Number Matches：1

KSH200 数据手册

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KSH200  
D-PAK for Surface Mount Applications  
•
•
•
•
High DC Current Gain  
Built-in a Damper Diode at E-C  
Lead Formed for Surface Mount Applications (No Suffix)  
Straight Lead (I-PAK, “ - I “ Suffix)  
D-PAK  
I-PAK  
1
1
1.Base 2.Collector 3.Emitter  
NPN Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
V
V
V
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Base Current  
40  
CBO  
CEO  
EBO  
25  
V
8
V
I
I
I
1
5
A
B
Collector Current (DC)  
Collector Current (Pulse)  
A
C
10  
A
CP  
P
Collector Dissipation (T = 25°C)  
12.5  
1.4  
W
W
°C  
°C  
C
C
Collector Dissipation (T = 25°C)  
a
T
T
Junction Temperature  
Storage Temperature  
150  
J
- 55 ~ 150  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
* Collector Emitter Sustaining Voltage  
Collector Cut-off Current  
Collector Cut-off Current  
Emitter Cut-off Current  
Test Condition  
Min.  
Max.  
Units  
V
(sus)  
I =100mA, I =0  
25  
V
CBO  
CEO  
CBO  
EBO  
C
B
I
I
I
V
=40V, I =0  
100  
100  
nA  
nA  
CB  
E
V
V
=8V, I =0  
C
EBO  
=1V, I =500mA  
70  
CE  
C
h
* DC Current Gain  
V
V
=1V, I =2A  
45  
10  
180  
FE  
CE  
CE  
C
=2V, I =5A  
C
V
(sat)  
* Collector-Emitter Saturation Voltage  
I =500mA, I =50mA  
0.3  
0.75  
1.8  
V
V
V
CE  
C
B
I =2A, I =200mA  
C
B
I =5A, I =1A  
C
B
V
V
(sat)  
(on)  
* Base-Emitter Saturation Voltage  
* Base-Emitter On Voltage  
Current Gain Bandwidth Product  
Output Capacitance  
I =5A, I =2A  
2.5  
1.6  
V
V
BE  
BE  
C
B
V
=1V, I =2A  
C
CE  
f
V
=10V, I =100mA  
65  
MHz  
pF  
T
CE  
C
C
V
=10V, I =0, f=0.1MHz  
80  
ob  
CB  
E
* Pulse Test: PW≤300µs, Duty Cycle≤2%  
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A3, October 2002  
123456

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KSH200 替代型号

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