5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| 风险等级： | 5.14 | 最大集电极电流 (IC)： | 8 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 100 V | 配置： | DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 100 | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | PNP | 最大功率耗散 (Abs)： | 20 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| KSH127I | FAIRCHILD |
获取价格 |
8 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-251, IPAK-3 |
|
| KSH127-I | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, |
|
| KSH127ITU | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-251, Plastic |
|
| KSH127TF | FAIRCHILD |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| KSH127TF | ROCHESTER |
获取价格 |
8A, 100V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252, DPAK-3 |
|
| KSH127TF | ONSEMI |
获取价格 |
PNP硅达林顿晶体管 |
|
| KSH127TM | ROCHESTER |
获取价格 |
8A, 100V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252, DPAK-3 |
|
| KSH127TM | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-252, Plastic |
|
| KSH127TM | ONSEMI |
获取价格 |
PNP硅达林顿晶体管 |
|
| KSH13003 | HUASHAN |
获取价格 |
NPN SILICON TRANSISTOR |
|
英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
