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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| 风险等级： | 5.71 | 最大集电极电流 (IC)： | 8 A |
| 基于收集器的最大容量： | 300 pF | 集电极-发射极最大电压： | 100 V |
| 配置： | DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR | 最小直流电流增益 (hFE)： | 100 |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 极性/信道类型： | PNP |
| 功耗环境最大值： | 20 W | 最大功率耗散 (Abs)： | 20 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管元件材料： | SILICON |
| VCEsat-Max： | 4 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| KSH127ITU | FAIRCHILD |
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Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-251, Plastic |
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| KSH127TF | FAIRCHILD |
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暂无描述 |
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| KSH127TF | ROCHESTER |
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8A, 100V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252, DPAK-3 |
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| KSH127TF | ONSEMI |
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PNP硅达林顿晶体管 |
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| KSH127TM | ROCHESTER |
获取价格 |
8A, 100V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252, DPAK-3 |
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| KSH127TM | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-252, Plastic |
|
| KSH127TM | ONSEMI |
获取价格 |
PNP硅达林顿晶体管 |
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| KSH13003 | HUASHAN |
获取价格 |
NPN SILICON TRANSISTOR |
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| KSH13003 | FAIRCHILD |
获取价格 |
High Voltage Power Transistor D-PACK for Surface Mount Applications |
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| KSH13003A | SEMIHOW |
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High Voltage Switch Mode Applications |
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