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KSH13005W

更新时间： 2024-11-14 11:31:51

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华汕 - HUASHAN		晶体晶体管
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描述
NPN SILICON TRANSISTOR

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KSH13005W 数据手册

N PN S I LI C O N TRAN S I S T O R

Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd.

KSH13005W

█ HIGH VOLTAGE SWITCH MODE APPLICICATION

High Speed Switching

Suitable for Switching Regulator and Montor Control

█ ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS（T_a=25℃）

TO-263（D2PAK）

T_stg——Storage Temperature………………………… -55~150℃

T_j——Junction Temperature……………………………… 150℃

P_C——Collector Dissipation（T_c=25℃）…………………… 75W

V_CBO——Collector-Base Voltage…………………………… 700V

V_CEO——Collector-Emitter Voltage………………………… 400V

V_EBO——Emitter-Base Voltage……………………………… 9V

I_C——Collector Curren（t DC）………………………………… 4A

I_C——Collector Curren（t Pulse）……………………………… 8A

I_B——Base Current……………………………………………2A

1―Base，B

2―Collector，C

3―Emitter, E

█ 电参数（T_a=25℃）

Symbol

BVCEO

IEBO

Characteristics

Min

Typ

Max

Unit

Test Conditions

I_C=10mA, I_B=0

V_EB=9V, I_C=0

400

Collector-Emitter Sustaining Voltage

Emitter-Base Cut-off Current

DC Current Gain

HFE

0.5

0.6

V_CE=5V, I_C=1A

V_CE=5V, I_C=2A

I_C=1A, I_B=0.2A

I_C=2A, I_B=0.5A

I_C=4A, I_B=1A

I_C=1A, I_B=0.2A

I_C=2A, I_B=0.5A

V_CB=10V, f=0.1MHz

V_CE=10V, I_C=0.5A

V_CC=125V,

VCE(sat)

Collector- Emitter Saturation Voltage

VBE(sat)

1.2

1.6

Base- Emitter Saturation Voltage

MHz

μs

Output Capacitance

Current Gain-Bandwidth Product

Turn On Time

Cob

f_T

tON

0.8

Storage Time

μs

I_C=2A,

Fall Time

0.9

I_B1=-I_B2=0.4A

hFE classification：H1（10--16）H2（14--21）H3（19--26）H4（24--31）H5（29--40）

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