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KSH13007D

更新时间: 2024-11-15 17:01:35
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华汕 - HUASHAN /
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3页 469K
描述
TO-220

KSH13007D 数据手册

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N P N S I L I C O N  
T R A N S I S T O R  
汕头华汕电子器件有限公司  
对应国外型号  
FJP3307D  
KSH13007D  
█ 主要用途  
█ 外形图及引脚排列  
高压快速开关。电子节能灯、开关电源等应用  
TO-220  
█ 极限值Ta=25℃)  
Tstg ——贮存温度………………………………… -55~150℃  
T j ——结温…………………………………………… 150℃  
PC——集电极功率耗Tc=25……………………… 80W  
VCBO——集电极—基极电压……………………………… 700V  
VCEO——集电极—发射极电压…………………………… 400V  
VEBO——发射极—基极电压………………………………… 9V  
IC——集电极电DC…………………………………… 8A  
IC——集电极电脉冲………………………………… 16A  
IB——基极电流…………………………………………………4A  
1―基 极,B  
2―集电极,C  
3―发射极,E  
█ 电参数Ta=25℃)  
参数符号  
符 号 说 明  
最小值 典型值 最大值 单 位  
测 试 条 件  
BVCBO  
BVCEO  
BVEBO  
IEBO  
集电极—基极击穿电压  
集电极—发射极击穿电压  
发射极—基极击穿电压  
发射极—基极截止电流  
直流电流增益  
700  
400  
9
V
V
IC=500μA,IE=0  
IC=5mA, IB=0  
IE=500μA,IC=0  
VEB=9V, IC=0  
V
1
40  
30  
1
mA  
hFE  
10  
5
VCE=5V, IC=2A  
VCE=5V, IC=5A  
IC=2A, IB=0.4A  
IC=5A, IB=1A  
IC=8A, IB=2A  
IC=2A, IB=0.4A  
IC=5A, IB=1A  
IF=2A  
VCE(sat) 集电极—发射极饱和电压  
V
V
2
3
V
VBE(sat)  
基极—发射极饱和电压  
1.2  
1.6  
2.5  
V
V
VF  
Cob  
ts  
内部二极管正向压降  
共基极输出电容  
贮存时间  
V
60  
pF  
VCB=10V, IE=0,f=1MHz  
3
8
μs VCE=5V, IC=0.5A  
(UI9600)  
ts  
tf  
贮存时间  
下降时间  
3
μs  
μs  
VCC=125V, IC=5A,  
IB1=-IB2=1A,RL=50Ω  
0.7  
分档: H110--16H214--21H319--26H424--31H529--40)  

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