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KSE180 PDF预览

KSE180

更新时间： 2024-11-13 22:32:07
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体开关音频放大器晶体管功率双极晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
4页 52K
描述
Low Power Audio Amplifier Low Current High Speed Switching Applications

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KSE180 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SIP包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.75
风险等级：5.85Is Samacsys：N
外壳连接：ISOLATED最大集电极电流 (IC)：3 A
集电极-发射极最大电压：40 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：12JEDEC-95代码：TO-126
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：12.5 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：50 MHzBase Number Matches：1

KSE180 数据手册

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KSE180/181/182  
Low Power Audio Amplifier  
Low Current High Speed Switching Applications  
TO-126  
1. Emitter 2.Collector 3.Base  
1
NPN Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
V
V
V
Collector-Base Voltage : KSE180  
60  
80  
100  
V
V
V
CBO  
: KSE181  
: KSE182  
Collector-Emitter Voltage : KSE180  
40  
60  
80  
V
V
V
CEO  
: KSE181  
: KSE182  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current (DC)  
Collector Current (Pulse)  
Base Current  
7
V
A
EBO  
I
3
C
I
I
6
1
A
CP  
B
A
P
Collector Dissipation (T =25°C)  
1.5  
W
W
°C  
°C  
C
a
Collector Dissipation (T =25°C)  
12.5  
C
T
T
Junction Temperature  
Storage Temperature  
150  
J
- 65 ~ 150  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
Max. Units  
BV  
Collector -Emitter Breakdown Voltage  
CEO  
: KSE180  
: KSE181  
: KSE182  
I
= 10mA, I = 0  
40  
60  
80  
V
V
V
C
B
I
Collector Cut-off Current : KSE180  
V
V
V
V
V
V
= 60V, I = 0  
0.1  
0.1  
0.1  
0.1  
0.1  
0.1  
µA  
µA  
µA  
mA  
mA  
mA  
CBO  
CB  
CB  
CB  
CB  
CB  
CB  
B
: KSE181  
: KSE182  
: KSE180  
: KSE181  
: KSE182  
= 80V, I = 0  
E
= 100V, I = 0  
E
= 60V, I = 0 @ T = 150°C  
E
C
= 80V, I = 0 @ T = 150°C  
E
C
= 100V, I = 0 @ T = 150°C  
E
C
I
Emitter Cut-off Current  
DC Current Gain  
V
= 7V, I = 0  
0.1  
µA  
EBO  
BE  
C
h
V
V
V
= 1V, I = 100mA  
50  
30  
12  
250  
FE  
CE  
CE  
CE  
C
= 1V, I = 500mA  
C
= 1V, I = 1.5A  
C
V
(sat)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter Saturation Voltage  
I
I
I
= 500mA, I = 50mA  
0.3  
0.9  
1.7  
V
V
V
CE  
C
C
C
B
= 1.5A, I = 150mA  
B
= 3A, I = 600mA  
B
V
V
(sat)  
(on)  
I
I
= 1.5A, I = 150mA  
1.5  
2.0  
V
V
BE  
BE  
C
C
B
= 3A, I = 600mA  
B
Base-Emitter On Voltage  
Current Gain Bandwidth Product  
Output Capacitance  
V
V
V
= 1V, I = 500mA  
1.2  
V
CE  
CE  
CB  
C
f
= 10V, I = 100mA  
50  
MHz  
pF  
T
C
C
= 10V, I = 0, f = 0.1MHz  
E
30  
ob  
©2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A1, January 2001  
1234

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与KSE180相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
KSE180S ROCHESTER

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 		3A, 40V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126
KSE181 FAIRCHILD

获取价格

 		Low Power Audio Amplifier Low Current High Speed Switching Applications
KSE181STU FAIRCHILD

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/
KSE182 FAIRCHILD

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 		Low Power Audio Amplifier Low Current High Speed Switching Applications
KSE182STU FAIRCHILD

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/
KSE200 FAIRCHILD

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 		Feature
KSE200STSTU FAIRCHILD

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/
KSE210 FAIRCHILD

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 		Feature
KSE210STU ONSEMI

获取价格

 		PNP Epitaxial Silicon Transistor
KSE2955 FAIRCHILD

获取价格

 		General Purpose and Switching Applications

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