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KSE13001R

更新时间： 2024-11-30 21:10:31
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 31K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92,

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KSE13001R 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.9
最大集电极电流 (IC)：0.1 A集电极-发射极最大电压：400 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：40
JEDEC-95代码：TO-92JESD-30 代码：O-PBCY-T3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：0.6 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：50 MHz
Base Number Matches：1

KSE13001R 数据手册

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KSE13001  
Color TV Chroma Output  
•
•
Collector-Base Voltage : V  
Current Gain Bandwidth Product : f =50MHz (TYP.)  
=400V  
CBO  
T
TO-92  
1. Base 2. Collector 3. Emitter  
1
NPN Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Ratings  
400  
Units  
V
V
V
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
CBO  
400  
V
CEO  
EBO  
7
V
I
100  
mA  
mW  
°C  
C
P
Collector Power Dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
600  
C
T
T
150  
J
-55 ~ +150  
°C  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
400  
400  
7
Typ.  
Max.  
Units  
BV  
Collector-Base Breakdown Voltage  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector Cut-off Current  
I =100µA, I =0  
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
C
E
BV  
BV  
I =5mA, I =0  
C B  
I =100µA, I =0  
V
E
C
I
V
=200V, I =0  
0.1  
80  
µA  
CBO  
CB  
CE  
E
h
DC Current Gain  
V
=10V, I =20mA  
40  
FE  
C
V
(sat)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Current Gain Bandwidth Product  
Output Capacitance  
I =10mA, I =1mA  
0.5  
V
CE  
C
B
f
V
=30V, I =10mA  
50  
4
MHz  
pF  
T
CE  
CB  
C
C
V
=10V, I =0, f=1MHz  
ob  
E
h
Classification  
FE  
Classification  
R
O
h
40 ~ 65  
55 ~ 80  
FE  
©2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A1, June 2001  
1234

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