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KSE13005FTU PDF预览

KSE13005FTU

更新时间： 2024-12-01 19:22:47
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 局域网开关晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 50K
描述
Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-220F, 3 PIN

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KSE13005FTU 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-220F包装说明：TO-220F, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
风险等级：5.75外壳连接：ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：4 A集电极-发射极最大电压：400 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：8
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：30 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：4 MHzBase Number Matches：1

KSE13005FTU 数据手册

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KSE13005F  
High Voltage Switch Mode Application  
•
•
High Speed Switching  
Suitable for Switching Regulator and Motor Control  
TO-220F  
1.Base 2.Collector 3.Emitter  
1
NPN Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
V
V
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current (DC)  
Collector Current (Pulse)  
Base Current  
700  
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
400  
9
V
I
I
I
4
A
C
8
A
CP  
B
2
30  
A
P
Collector Dissipation (T =25°C)  
W
°C  
°C  
C
C
T
T
Junction Temperature  
Storage Temperature  
150  
J
- 65 ~ 150  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Collector-Base Breakdown Voltage  
Emitter Cut-off Current  
Test Condition  
Min.  
Typ.  
Max.  
Units  
V
BV  
I
= 10mA, I = 0  
400  
CEO  
EBO  
C
B
I
V
= 9V, I = 0  
1
mA  
EB  
C
h
*DC Current Gain  
V
V
= 5V, I = 1A  
10  
8
60  
40  
FE  
CE  
CE  
C
= 5V, I = 2A  
C
V
V
(sat)  
*Collector-Emitter Saturation Voltage  
*Base-Emitter Saturation Voltage  
I
I
I
= 1A, I = 0.2A  
0.5  
0.6  
1
V
V
V
CE  
C
C
C
B
= 2A, I = 0.5A  
B
= 4A, I = 1A  
B
(sat)  
I
I
= 1A, I = 0.2A  
1.2  
1.6  
V
V
BE  
C
C
B
= 2A, I = 0.5A  
B
C
Output Capacitance  
Current Gain Bandwidth Product  
Turn On Time  
V
V
V
= 10V , f = 0.1MHz  
65  
pF  
MHz  
µs  
ob  
CB  
CE  
CC  
f
t
t
t
= 10V, I = 0.5A  
4
T
C
=125V, I = 2A  
0.8  
4
ON  
C
I
= - I = 0.4A  
Storage Time  
B1  
B2  
µs  
STG  
F
R = 125Ω  
L
Fall Time  
0.9  
µs  
* Pulse test: PW≤300µs, Duty Cycle≤2%  
©2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A1, January 2001  
12345

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