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KSE13007SM PDF预览

KSE13007SM

更新时间： 2024-11-15 10:08:51
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 局域网开关晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 103K
描述
Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-220, 3 PIN

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KSE13007SM 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SFM
包装说明：TO-220, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.69
最大集电极电流 (IC)：8 A集电极-发射极最大电压：400 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：5
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：4 MHzBase Number Matches：1

KSE13007SM 数据手册

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KSE13006/13007  
High Voltage Switch Mode Application  
•
•
High Speed Switching  
Suitable for Switching Regulator and Motor Control  
TO-220  
1.Base 2.Collector 3.Emitter  
1
NPN Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
V
V
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
: KSE13006  
: KSE13007  
600  
700  
V
V
CBO  
: KSE13006  
: KSE13007  
300  
400  
V
V
CEO  
Emitter- Base Voltage  
Collector Current (DC)  
Collector Current (Pulse)  
Base Current  
9
V
A
EBO  
I
8
C
I
I
16  
A
CP  
B
4
80  
A
P
Collector Dissipation (T =25°C)  
W
°C  
°C  
C
C
T
T
Junction Temperature  
Storage Temperature  
150  
J
- 65 ~ 150  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
Typ.  
Max.  
Units  
BV  
Collector- Emitter Breakdown Voltage  
: KSE13006  
CEO  
I
= 10mA, I = 0  
300  
400  
V
V
C
B
: KSE13007  
I
Emitter Cut-off Current  
*DC Current Gain  
V
= 9V, I = 0  
1
mA  
EBO  
EB  
C
h
V
V
= 5V, I = 2A  
8
5
60  
30  
FE  
CE  
CE  
C
= 5V, I = 5A  
C
V
V
(sat)  
*Collector-Emitter Saturation Voltage  
*Base-Emitter Saturation Voltage  
I
I
I
= 2A, I = 0.4A  
1
2
3
V
V
V
CE  
BE  
C
C
C
B
= 5A, I = 1A  
B
= 8A, I = 2A  
B
(sat)  
I
I
= 2A, I = 0.4A  
1.2  
1.6  
V
V
C
C
B
= 5A, I = 1A  
B
C
Output Capacitance  
Current Gain Bandwidth Product  
Turn On Time  
V
V
V
= 10V, f = 0.1MHz  
110  
pF  
MHz  
µs  
ob  
CB  
CE  
CC  
f
t
t
t
= 10V, I = 0.5A  
4
T
C
= 125V, I = 5A  
1.6  
3
ON  
STG  
F
C
I
= -I = 1A  
Storage Time  
B1  
B2  
µs  
R = 50Ω  
L
Fall Time  
0.7  
µs  
* Pulse test: PW≤300µs, Duty cycle≤2%  
©2000 Fairchild Semiconductor International  
Rev. A1, December 2000  
1234567

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