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KSE13005TU

更新时间： 2024-12-01 13:02:19
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体开关晶体管功率双极晶体管高压局域网
页数 文件大小 规格书
5页 50K
描述
Transistor

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KSE13005TU 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：,Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.92最大集电极电流 (IC)：4 A
配置：Single最小直流电流增益 (hFE)：8
JESD-609代码：e0最高工作温度：150 °C
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：75 W
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)标称过渡频率 (fT)：4 MHz
Base Number Matches：1

KSE13005TU 数据手册

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KSE13004/13005  
High Voltage Switch Mode Application  
•
•
High Speed Switching  
Suitable for Switching Regulator and Motor Control  
TO-220  
1.Base 2.Collector 3.Emitter  
1
NPN Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
V
V
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
: KSE13004  
: KSE13005  
600  
700  
V
V
CBO  
: KSE13004  
: KSE13005  
300  
400  
V
V
CEO  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current (DC)  
Collector Current (Pulse)  
Base Current  
9
V
A
EBO  
I
4
C
I
8
A
CP  
I
2
75  
A
B
P
Collector Dissipation (T =25°C)  
W
°C  
°C  
C
C
T
T
Junction Temperature  
Storage Temperature  
150  
J
- 65 ~ 150  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
Typ.  
Max.  
Units  
BV  
(sus) Collector-Emitter Sustaining Voltage  
CEO  
: KSE13004  
: KSE13005  
I
= 10mA, I = 0  
300  
400  
V
V
C
B
I
Emitter Cut-off Current  
*DC Current Gain  
V
= 9V, I = 0  
1
mA  
EBO  
EB  
C
h
V
V
= 5V, I = 1A  
10  
8
60  
40  
FE  
CE  
CE  
C
= 5V, I = 2A  
C
V
V
(sat)  
*Collector-Emitter Saturation Voltage  
*Base-Emitter Saturation Voltage  
I
I
I
= 1A, I = 0.2A  
0.5  
0.6  
1
V
V
V
CE  
C
C
C
B
= 2A, I = 0.5A  
B
= 4A, I = 1A  
B
(sat)  
I
I
= 1A, I = 0.2A  
1.2  
1.6  
V
V
BE  
C
C
B
= 2A, I = 0.5A  
B
C
Output Capacitance  
Current Gain Bandwidth Product  
Turn On Time  
V
V
V
= 10V, f = 0.1MHz  
65  
pF  
MHz  
µs  
ob  
CB  
CE  
CC  
f
t
t
t
= 10V, I = 0.5A  
4
T
C
= 125V, I = 2A  
0.8  
4
ON  
STG  
F
C
I
= - I = 0.4A  
Storage Time  
B1  
B2  
µs  
R = 62.5Ω  
L
Fall Time  
0.9  
µs  
* Pulse test: PW≤300µs, Duty cycle≤2% Pulse  
©2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A1, January 2001  
12345

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