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Datasheet > 晶体管 > 其他晶体管> KSE13003TTU
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KSE13003TTU

更新时间： 2024-11-30 12:58:31
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体开关晶体管功率双极晶体管高压局域网
页数 文件大小 规格书
4页 50K
描述
Transistor,

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KSE13003TTU 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.92
最大集电极电流 (IC)：1.5 A配置：Single
最小直流电流增益 (hFE)：5JESD-609代码：e0
最高工作温度：150 °C极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：30 W子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
标称过渡频率 (fT)：4 MHzBase Number Matches：1

KSE13003TTU 数据手册

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KSE13003  
High Voltage Switch Mode Applications  
•
•
High Speed Switching  
Suitable for Switching Regulator and Motor Control  
TO-126  
1. Emitter 2.Collector 3.Base  
1
NPN Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Value  
700  
Units  
V
V
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current (DC)  
Collector Current (Pulse)  
Base Current  
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
400  
9
V
I
I
I
1.5  
A
C
3
A
CP  
B
0.75  
20  
A
P
Collector Dissipation (T =25°C)  
W
°C  
°C  
C
C
T
T
Junction Temperature  
Storage Temperature  
150  
J
- 65 ~ 150  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Emitter Cut-off Current  
Test Condition  
Min.  
Typ.  
Max.  
Units  
V
BV  
I
= 5mA, I = 0  
400  
CEO  
EBO  
C
B
I
V
= 9V, I = 0  
10  
40  
µA  
EB  
C
h
*DC Current Gain  
V
V
= 2V, I = 0.5A  
8
5
FE  
CE  
CE  
C
= 2V, I =1A  
C
V
V
(sat)  
*Collector Emitter Saturation Voltage  
*Base Emitter Saturation Voltage  
I
I
I
= 0.5A, I = 0.1A  
0.5  
1
3
V
V
V
CE  
C
C
C
B
= 1A, I = 0.25A  
B
= 1.5A, I = 0.5A  
B
(sat)  
I
I
= 0.5A, I = 0.1A  
1
1.2  
V
V
BE  
C
C
B
= 1A, I = 0.25A  
B
C
Output Capacitance  
Current Gain Bandwidth Product  
Turn On Time  
V
V
V
= 10V , f = 0.1MHz  
21  
pF  
MHz  
µs  
ob  
CB  
CE  
CC  
f
t
t
t
= 10V, I = 0.1A  
4
T
C
=125V, I = 1A  
1.1  
4.0  
0.7  
ON  
C
I
= 0.2A, I = - 0.2A  
Storage Time  
B1  
B2  
µs  
STG  
F
R = 125Ω  
L
Fall Time  
µs  
* Pulse Test: Pulse Width=5ms, Duty Cycle≤10%  
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. B1, December 2002  
1234

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与KSE13003TTU相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
KSE13004 FAIRCHILD

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 		High Voltage Switch Mode Application
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KSE13004TU FAIRCHILD

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 		Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast
KSE13005 FAIRCHILD

获取价格

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 		暂无描述
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