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KSE13004J69Z

更新时间： 2024-11-30 14:51:55
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 局域网开关晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 84K
描述
Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-220, 3 PIN

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KSE13004J69Z 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SFM
包装说明：TO-220, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.84最大集电极电流 (IC)：4 A
集电极-发射极最大电压：300 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：8JEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：4 MHz
Base Number Matches：1

KSE13004J69Z 数据手册

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KSE13004/13005  
NPN SILICON TRANSISTOR  
HIGH VOLTAGE SWITCH MODE APPLICATION  
· High Speed Switching  
TO-220  
· Suitable for Switching Regulator and Motor Control  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Characteristic  
Collector Base Voltage : KSE13004  
: KSE13005  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
VCBO  
600  
700  
V
Collector Emitter Voltage : KSE13004  
: KSE13005  
VCEO  
300  
V
400  
V
Emitter Base Voltage  
VEBO  
IC  
9
V
Collector Current (DC)  
Collector Current (Pulse)  
Base Current  
4
A
IC  
8
2
A
1.Base 2.Collector 3.Emitter  
IB  
W
W
°C  
°C  
PC  
TJ  
75  
Collector Dissipation (TC=25°C)  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
150  
TSTG  
-65 ~ 150  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC =25°C)  
Characteristic  
Collector Emitter Sustaining Voltage : KSE13004  
: KSE13005  
Symbol  
VCEO(sus)  
Test Conditions  
Min  
300  
400  
Typ  
Max  
Unit  
V
IC = 10mA, IB = 0  
V
Emitter Cutoff Current  
IEBO  
hFE  
VEB = 9V, IC = 0  
VCE = 5V, IC = 1A  
VCE = 5V, IC = 2A  
IC = 1A, IB = 0.2A  
IC = 2A, IB = 0.5A  
IC = 4A, IB = 1A  
1
60  
40  
0.5  
0.6  
1
mA  
* DC Current Gain  
10  
8
* Collector Emitter Saturation Voltage  
* Base Emitter Saturation Voltage  
VCE(sat)  
VBE (sat)  
V
V
V
IC = 1A, IB = 0.2A  
IC = 2A, IB = 0.5A  
1.2  
1.6  
V
V
Output Capacitance  
Current Gain Bandwidth Product  
Turn On Time  
COB  
fT  
VCB = 10V, f = 0.1MHz  
VCE = 10V, IC = 0.5A  
VCC = 125V, IC = 2A  
IB1 = -IB2 = 0.4A  
65  
pF  
MHz  
ms  
ms  
ms  
4
tON  
tS  
0.8  
4
Storage Time  
Fall Time  
tF  
0.9  
* Pulse test: PW£300ms, Duty cycle£2% Pulse  
Rev. B  
ã
1999 Fairchild Semiconductor Corporation  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
KSE13004TU FAIRCHILD

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 		Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast
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