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KSE13003TH1ATU

更新时间： 2024-11-30 19:51:39
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 局域网开关晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 44K
描述
Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin

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KSE13003TH1ATU 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：TO-220
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：8.56
最大集电极电流 (IC)：1.5 A集电极-发射极最大电压：400 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：5
JEDEC-95代码：TO-126JESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：30 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：4 MHz
Base Number Matches：1

KSE13003TH1ATU 数据手册

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KSE13003T  
High Voltage Switch Mode Applications  
•
•
High Speed Switching  
Suitable for Switching Regulator and Motor Control  
TO-220  
1.Base 2.Collector 3.Emitter  
1
NPN Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Value  
700  
Units  
V
V
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current (DC)  
Collector Current (Pulse)  
Base Current  
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
400  
9
V
I
I
I
1.5  
A
C
3
A
CP  
B
0.75  
30  
A
P
Collector Dissipation (T =25°C)  
W
°C  
°C  
C
C
T
T
Junction Temperature  
Storage Temperature  
150  
J
- 65 ~ 150  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Emitter Cut-off Current  
Test Condition  
Min.  
Typ.  
Max.  
Units  
V
BV  
I
= 5mA, I = 0  
400  
CEO  
EBO  
C
B
I
V
= 9V, I = 0  
10  
40  
µA  
EB  
C
h
*DC Current Gain  
V
V
= 2V, I = 0.5A  
8
5
FE  
CE  
CE  
C
= 2V, I =1A  
C
V
V
(sat)  
*Collector Emitter Saturation Voltage  
*Base Emitter Saturation Voltage  
I
I
I
= 0.5A, I = 0.1A  
0.5  
1
3
V
V
V
CE  
C
C
C
B
= 1A, I = 0.25A  
B
= 1.5A, I = 0.5A  
B
(sat)  
I
I
= 0.5A, I = 0.1A  
1
1.2  
V
V
BE  
C
C
B
= 1A, I = 0.25A  
B
C
Output Capacitance  
Current Gain Bandwidth Product  
Turn On Time  
V
V
V
= 10V , f = 0.1MHz  
21  
pF  
MHz  
µs  
ob  
CB  
CE  
CC  
f
t
t
t
= 10V, I = 0.1A  
4
T
C
=125V, I = 1A  
1.1  
4.0  
0.7  
ON  
C
I
= 0.2A, I = - 0.2A  
Storage Time  
B1  
B2  
µs  
STG  
F
R = 125Ω  
L
Fall Time  
µs  
* Pulse Test: Pulse Width=5ms, Duty Cycle≤10%  
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. B, December 2002  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
KSE13003TTU FAIRCHILD

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 		Transistor,
KSE13004 FAIRCHILD

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 		Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast
KSE13004TU FAIRCHILD

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 		Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast
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 		暂无描述
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