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KSC5021-R

更新时间： 2024-09-24 20:10:31

品牌	Logo	应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD		局域网开关晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	302K
描述
Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 500V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-220, 3 PIN

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KSC5021-R 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-220AB	包装说明：	TO-220, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.32	其他特性：	HIGH RELIABILITY
最大集电极电流 (IC)：	5 A	集电极-发射极最大电压：	500 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	8
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	50 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	18 MHz
Base Number Matches：	1

KSC5021-R 数据手册

October 2008

KSC5021

NPN Silicon Transistor

•

High Voltage and High Reliability

High Speed Switching : t_F= 0.1ms (Typ.)

Wide SOA

TO-220

1.Base 2.Collector 3.Emitter

Absolute Maximum Ratings

= 25°C unless otherwise noted

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Parameter

Value

Units

Collector-Base Voltage

800

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current (DC)

Collector Current (Pulse)

Base Current

500

I_CP

I_B

P_C

Collector Dissipation (T_C=25°C)

Junction Temperature

Storage Temperature

°C

T_J

150

T_STG

- 55 ~ 150

KSC5021 Rev. 1.0.0

www.fairchildsemi.com

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