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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-3P |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.77 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | HIGH RELIABILITY |
| 最大集电极电流 (IC)： | 10 A | 集电极-发射极最大电压： | 500 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 8 |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 90 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 18 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| KSC5024O | FAIRCHILD |
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Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 500V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, |
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| KSC5024-O | SAMSUNG |
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Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 500V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, |
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| KSC5024OTU | FAIRCHILD |
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Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 500V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, |
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| KSC5024R | FAIRCHILD |
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Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 500V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, |
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| KSC5024RTU | FAIRCHILD |
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Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 500V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, |
|
| KSC5024Y | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 500V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, |
|
| KSC5024YTU | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 500V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, |
|
| KSC5025 | FAIRCHILD |
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High Voltage and High Reliabilty |
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| KSC5025O | FAIRCHILD |
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Power Bipolar Transistor, 15A I(C), 500V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, |
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| KSC5025RTU | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 15A I(C), 500V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, |
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