5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | SFM | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.82 | 其他特性： | HIGH RELIABILITY |
| 最大集电极电流 (IC)： | 1.5 A | 集电极-发射极最大电压： | 800 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 15 |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | NPN |
| 功耗环境最大值： | 40 W | 最大功率耗散 (Abs)： | 40 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 15 MHz | 最大关闭时间（toff）： | 3300 ns |
| 最大开启时间（吨）： | 500 ns | VCEsat-Max： | 2 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| KSC5026MOSTU | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 800V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plast |
|
| KSC5026MOTU | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 800V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plast |
|
| KSC5026MRS | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 800V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plast |
|
| KSC5026N | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 800V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Pla |
|
| KSC5026-N | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 800V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Pla |
|
| KSC5026NJ69Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 800V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Pla |
|
| KSC5026O | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 800V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Pla |
|
| KSC5026-O | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 800V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Pla |
|
| KSC5026OJ69Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 800V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Pla |
|
| KSC5026R | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 800V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Pla |
|
MBRS340T3G手册解读：参数说明、产品特性及应用
PMOS管背靠背连接：串联还是并联？
高压电解电容的分类与选型策略
数码管：基本概念、分类、技术发展及市场趋势
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
