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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> KSC5026MRS
KSC5026MRS PDF预览

KSC5026MRS

更新时间： 2024-01-21 13:25:45
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
页数 文件大小 规格书
5页 54K
描述
Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 800V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-126, 3 PIN

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KSC5026MRS 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SFM包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.82其他特性：HIGH RELIABILITY
最大集电极电流 (IC)：1.5 A集电极-发射极最大电压：800 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：15
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：NPN
功耗环境最大值：40 W最大功率耗散 (Abs)：40 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：15 MHz最大关闭时间（toff）：3300 ns
最大开启时间（吨）：500 nsVCEsat-Max：2 V
Base Number Matches：1

KSC5026MRS 数据手册

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KSC5026  
High Voltage and High Reliability  
•
•
High Speed Switching  
Wide SOA  
TO-220  
1.Base 2.Collector 3.Emitter  
1
NPN Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
V
V
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current (DC)  
Collector Current (Pulse)  
Base Current  
1100  
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
800  
7
1.5  
V
I
I
A
C
5
A
CP  
B
I
0.8  
A
P
Collector Dissipation (T =25°C)  
40  
W
°C  
°C  
C
C
T
T
Junction Temperature  
Storage Temperature  
150  
J
- 55 ~ 150  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
Typ.  
Max.  
Units  
BV  
Collector-Base Breakdown Voltage  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector-Emitter Sustaining Voltage  
I
I
I
= 1mA, I = 0  
1100  
800  
7
V
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
C
C
E
E
BV  
BV  
= 5mA, I = 0  
B
= 1mA, I = 0  
C
V
(sus)  
I
I
= 0.75A  
CEX  
C
= -I = 0.15A  
800  
V
B1  
B2  
L = 5mH, Clamped  
I
I
Collector Cut-off Current  
Emitter Cut-off Current  
DC Current Gain  
V
V
= 800V, I = 0  
10  
10  
40  
µA  
µA  
CBO  
EBO  
CB  
EB  
E
= 5V, I = 0  
C
h
h
V
V
= 5V, I = 0.1A  
10  
8
FE1  
FE2  
CE  
CE  
C
= 5V, I = 0.5A  
C
V
V
(sat)  
(sat)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter Saturation Voltage  
Output Capacitance  
I
I
= 0.75A, I = 0.15A  
2
V
V
CE  
C
C
B
= 0.75A, I = 0.15A  
1.5  
BE  
B
C
V
=10V, I = 0, f = 1MHz  
35  
15  
pF  
MHz  
µs  
ob  
CB  
E
f
t
t
t
Current Gain Bandwidth Product  
Turn On Time  
V
V
I
= 10V, I = 0.1A  
T
CE  
CC  
C
= 400V  
0.5  
3
ON  
= 5I = -2.5I = 1A  
Storage Time  
C
B1 B2  
µs  
STG  
F
R = 400Ω  
L
Fall Time  
0.3  
µs  
h
Classification  
FE  
Classification  
N
R
O
h
10 ~ 20  
15 ~ 30  
20 ~ 40  
FE1  
©2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A1, June 2001  
12345

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