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KSC5027F-R PDF预览

KSC5027F-R

更新时间： 2024-11-21 19:44:31
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
页数 文件大小 规格书
5页 57K
描述
3 A, 800 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB

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KSC5027F-R 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.32
其他特性：HIGH RELIABILITY外壳连接：ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：3 A集电极-发射极最大电压：800 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：8
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：15 MHzBase Number Matches：1

KSC5027F-R 数据手册

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KSC5027F  
High Voltage and High Reliability  
•
•
High Speed Switching  
Wide SOA  
TO-220F  
1.Base 2.Collector 3.Emitter  
1
NPN Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
V
V
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current (DC)  
Collector Current (Pulse)  
Base Current  
1100  
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
800  
7
V
I
I
I
3
10  
A
C
A
CP  
B
1.5  
A
P
Collector Dissipation (T =25°C)  
40  
W
°C  
°C  
C
C
T
T
Junction Temperature  
Storage Temperature  
150  
J
- 55 ~ 150  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
Typ.  
Max.  
Units  
BV  
Collector-Base Breakdown Voltage  
Collector-Emitter Sustaining Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector-Emitter Sustaining Voltage  
I
I
= 1mA, I = 0  
1100  
800  
7
V
V
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
C
C
E
BV  
BV  
= 5mA, I = 0  
B
I = 1mA, I = 0  
E
C
V
(sus)  
I
= 1.5A, I = -I = 0.3A  
800  
CEX  
C
B1  
B2  
L = 2mH, Clamped  
I
I
Collector Cut-off Current  
Emitter Cut-off Current  
DC Current Gain  
V
V
= 800V, I = 0  
10  
10  
40  
µA  
µA  
CBO  
EBO  
CB  
EB  
E
= 5V, I = 0  
C
h
h
V
V
= 5V, I = 0.2A  
10  
8
FE1  
FE2  
CE  
CE  
C
= 5V, I = 1A  
C
V
V
(sat)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter Saturation Voltage  
Output Capacitance  
I
I
= 1.5A, I = 0.3A  
2
V
V
CE  
BE  
C
C
B
(sat)  
= 1.5A, I = 0.3A  
1.5  
B
C
V
V
V
= 10V, I = 0, f = 1MHz  
60  
15  
pF  
MHz  
µs  
ob  
CB  
CE  
CC  
E
f
Current Gain Bandwidth Product  
Turn On Time  
= 10V, I = 0.2A  
T
C
t
t
t
= 400V  
0.5  
3
ON  
I
= 5I = -2.5I = 2A  
Storage Time  
C
B1 B2  
µs  
STG  
F
R = 200Ω  
L
Fall Time  
0.3  
µs  
h
Classification  
FE  
Classification  
N
R
O
h
10 ~ 20  
15 ~ 30  
20 ~ 40  
FE1  
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. B1, December 2002  
12345

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
KSC5027FRYDTU FAIRCHILD

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 		Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 800V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy,
KSC5027J69Z FAIRCHILD

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 		Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 800V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast
KSC5027N FAIRCHILD

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 		High Voltage and High Reliability
KSC5027-N FAIRCHILD

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 		3 A, 800 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220, TO-220, 3 PIN
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