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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SFM |
| 包装说明： | TO-220, 3 PIN | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.76 |
| 其他特性： | HIGH RELIABILITY | 最大集电极电流 (IC)： | 1.5 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 800 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 8 | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 15 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| KSC5026M | FAIRCHILD |
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High Voltage and High Reliability |
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| KSC5026M_11 | FAIRCHILD |
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NPN Silicon Transistor |
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| KSC5026MOS | FAIRCHILD |
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NPN Silicon Transistor |
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| KSC5026MOS | ONSEMI |
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NPN芯片晶体管 |
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| KSC5026MOSTU | FAIRCHILD |
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Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 800V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plast |
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| KSC5026MOTU | FAIRCHILD |
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Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 800V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plast |
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| KSC5026MRS | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 800V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plast |
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| KSC5026N | FAIRCHILD |
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Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 800V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Pla |
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| KSC5026-N | SAMSUNG |
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Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 800V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Pla |
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| KSC5026NJ69Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 800V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Pla |
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